Mạch điện tử - Chương 3: Bài tập mạch khuếch đại FET

1Chöông 3:
BAØI TAÄP 
MẠCH KHUẾCH ĐẠI FET
Chương 3-2
BAØI TAÄP 1
Hai IGFET được nối với nhau song song như trong hình 
B9.3. Nếu kết quả cho thấy thiết bị 3 đầu cuối này là
JGFET thì hãy tìm gm. Ứng với mỗi IGFET ta có:
Chương 3-3
BAØI TAÄP 2
Chương 3-4
BAØI TAÄP 3
10K C --> 
88kW 
12kW 
S
D
G
500 W 
1.5kW 
C --> 
2kW 
20VVDD
a/ Tìm điểm hoạt động Q khi sử dụng 2N3796
b/ Tính µ, rds, gm
c/ Tính độ lợi vL/vi
Chương 3-5
BAØI TAÄP 4
Thiết kế một mạch khuếch đại có Aộ lợi là 10.
Điện áp cung cấp là 24V. Sử dụng linh kiện 2N3796 (gm=4m 
mho, rds=17KΩ, µ=68).
Chương 3-6
BAØI TAÄP 5
Bộ kéo theo nguồn được thiết kế sử dụng trong mạch 
điện hình B9.8. JFET 2N4223 được sử dụng trong mạch 
này. Độ lợi lớn hơn 0,8. Tìm R1,RS1 và Rs2.
Chương 3-7
BAØI TAÄP 6
Đặc tuyến vi của khuếch đại CG cho trong hình B 9.9 được mô tả
xấp xỉ từ phương trình:
a) Vẽ ) ặc tuyến 
b) Tìm điểm Q bằng đồ thị
c) Tính gm
d) Cho rds = 10k, hãy tính µ
e) Xác định Zi, Zo và ) ộ lợi vd/vi 
Chương 3-8
BAØI TAÄP 7
Cả 2 FET đều được 
xác định trước các 
thông số gm, µ và rds. 
Hãy tính 
a/ iL như là một hàm 
của v1 và v2
b/ v01, v02, v03
c/ i ện trở ngõ ra 
nhìn từ hầu cuối S1S2’
VGG2
V2
S
D
G
RL
Rd
S
D
G
V1
VGG2
VDD
8
Chương 3-9
BAØI TAÄP 8
Cho T1 và T2 đồng nhất có cùng thông số. (H.B9.11)
a)Tìm vd2 như là một hàm của v1 và v2.
b)So sánh CMRR của FET và BJT.
c)Cho Rs =10k, Rd=10k, gm=5 m mho và rds=10kΩ, hãy tính CMRR và
Zo tại cực máng của T2.
Chương 3-10
BAØI TAÄP 9
Cấu hình Darlington có
thể được xây dựng lại 
bằng cách sử dụng 
JFET và BJT như hình.
a/ Xác định Zif và Zof
b/ Tìm dạng mô phỏng 
của độ lợi vc/vi
Vi
ri
C
Re1
S
D
G
E
C
B
VDD
Re2
Re1
Chương 3-11
BAØI TAÄP 10
Ba transistor T1, T2 và
T3 tạo thành một mạch 
khuếch đại vi sai. JFET 
T4 là bộ khuếch đại 
Darlington được sử
dụng để ạt được tổng 
trở ngõ vào cao. 
(H.B9.15)
a)Nếu điện trở nhìn từ
collector của T3 là vô 
cùng lớn, hãy xác định 
Zi.
b)Tính vL/vi .