Giáo trình Linh kiện điện tử - Trương Văn Tám
Mục lục
---------
Chương I.4
MỨC NĂNG LƯỢNG VÀ DẢI NĂNG LƯỢNG.4
I. KHÁI NIỆM VỀ CƠ HỌC NGUYÊN LƯỢNG: .4
II. PHÂN BỐ ĐIỆN TỬ TRONG NGUYÊN TỬ THEO NĂNG LƯỢNG:.6
III. DẢI NĂNG LƯỢNG: (ENERGY BANDS) .8
Chương II .12
SỰ DẪN ĐIỆN TRONG KIM LOẠI.12
I. ĐỘ LINH ĐỘNG VÀ DẪN XUẤT:.12
II. PHƯƠNG PHÁP KHẢO SÁT CHUYỄN ĐỘNG CỦA HẠT TỬ BẰNG NĂNG LƯỢNG:.14
III. THẾ NĂNG TRONG KIM LOẠI:.15
IV. SỰ PHÂN BỐ CỦA ĐIỆN TỬ THEO NĂNG LƯỢNG: .18
V. CÔNG RA (HÀM CÔNG): .20
VI. ĐIỆN THẾ TIẾP XÚC (TIẾP THẾ): .21
Chương III.22
CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN .22
I. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN THUẦN HAY NỘI BẨM: .22
II. CHẤT BÁN DẪN NGOẠI LAI HAY CÓ CHẤT PHA: .24
1. Chất bán dẫn loại N: (N - type semiconductor) .24
2. Chất bán dẫn loại P:.25
3. Chất bán dẫn hỗn hợp:.26
III. DẪN SUẤT CỦA CHẤT BÁN DẪN:.27
IV. CƠ CHẾ DẪN ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN: .29
V. PHƯƠNG TRÌNH LIÊN TỤC: .30
Chương IV .32
NỐI P-N VÀ DIODE.32
I. CẤU TẠO CỦA NỐI P-N:.32
II. DÒNG ĐIỆN TRONG NỐI P-N KHI ĐƯỢC PHÂN CỰC: .34
1. Nối P-N được phân cực thuận:.35
2. Nối P-N khi được phân cực nghịch: .38
III. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN NỐI P-N:.40
IV. NỘI TRỞ CỦA NỐI P-N. .41
1. Nội trở tĩnh: (Static resistance). .41
2. Nội trở động của nối P-N: (Dynamic Resistance).42
V. ĐIỆN DUNG CỦA NỐI P-N. .44
1. Điện dung chuyển tiếp (Điện dung nối).44
2. Điện dung khuếch tán. (Difusion capacitance) .45
VI. CÁC LOẠI DIODE THÔNG DỤNG.45
1. Diode chỉnh lưu: .45
2. Diode tách sóng. .53
3. Diode schottky:.53
4. Diode ổn áp (diode Zenner):.54
5. Diode biến dung: (Varicap – Varactor diode).57
6. Diode hầm (Tunnel diode).58
Bài tập cuối chương .59
Chương V.61
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC.61
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA BJT.61
II. TRANSISTOR Ở TRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CỰC. .61
III. CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC. .63
IV. CÁC CÁCH RÁP TRANSISTOR VÀ ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN.64
V. DÒNG ĐIỆN RỈ TRONG TRANSISTOR. .66
VI. ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR.67
1. Mắc theo kiểu cực nền chung: .68
2. Mắc theo kiểu cực phát chung. .69
3. Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT. .72
VII. ĐIỂM ĐIỀU HÀNH – ĐƯỜNG THẲNG LẤY ĐIỆN MỘT CHIỀU.73
VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT. .78
IX. BJT VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU.80
1. Mô hình của BJT: .80
2. Điện dẫn truyền (transconductance) .82
3. Tổng trở vào của transistor: .83
4. Hiệu ứng Early (Early effect) .85
5. Mạch tương đương xoay chiều của BJT: .86
Bài tập cuối chương .90
CHƯƠNG 6 .91
TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG.91
I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET:.91
II. CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA JFET: .93
III. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN CỦA JFET. .99
IV. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ TRÊN JFET. .100
V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DE MOSFET).102
VI. MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET) .107
VII. XÁC ĐỊNH ĐIỂM ĐIỀU HÀNH:.111
VIII. FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍN HIỆU NHỎ.113
IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦA JFET VÀ DEMOSFET. .117
X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET. .118
XI. TỔNG TRỞ VÀO VÀ TỔNG TRỞ RA CỦA FET. .119
XII. CMOS TUYẾN TÍNH (LINEAR CMOS).120
XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS.122
1. V-MOS: .122
2. D-MOS: .123
Bài tập cuối chương .125
CHƯƠNG VII .126
LINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀ NHỮNG LINH KIỆN KHÁC .126
I. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED RECTIFIER).126
1. Cấu tạo và đặc tính: .126
2. Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR:.128
3. Các thông số của SCR: .129
4. SCR hoạt động ở điện thế xoay chiều.130
5. Vài ứng dụng đơn giản: .131
II. TRIAC (TRIOD AC SEMICONDUCTOR SWITCH).133
III. SCS (SILICON – CONTROLLED SWITCH). .135
IV. DIAC .136
V. DIOD SHOCKLEY.137
VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH). .138
VII. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR ĐỘC NỐI). .140
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT: .140
2. Các thông số kỹ thuật của UJT và vấn đề ổn định nhiệt cho đỉnh: .143
3. Ứng dụng đơn giản của UJT:.144
VIII. PUT (Programmable Unijunction Transistor).145
CHƯƠNG VIII.148
LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ.148
I. ÁNH SÁNG. .148
II. QUANG ĐIỆN TRỞ (PHOTORESISTANCE).149
III. QUANG DIOD (PHOTODIODE).151
IV. QUANG TRANSISTOR (PHOTO TRANSISTOR). .152
V. DIOD PHÁT QUANG (LED-LIGHT EMITTING DIODE).154
VI. NỐI QUANG.155
CHƯƠNG IX.157
SƠ LƯỢC VỀ IC .157
I. KHÁI NIỆM VỀ IC - SỰ KẾT TỤ TRONG HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ.157
II. CÁC LOẠI IC. .159
1. IC màng (film IC):.159
2. IC đơn tính thể (Monolithic IC):.159
3. IC lai (hibrid IC).160
III. SƠ LƯỢC VỀ QUI TRÌNH CHẾ TẠO MỘT IC ĐƠN TINH THỂ. .160
IV. IC SỐ (IC DIGITAL) VÀ IC TƯƠNG TỰ (IC ANALOG).162
1. IC Digital:.162
2. IC analog: .163
Tài liệu tham khảo .163
transistor sẽ chỉ có tuổi thọ giôø 200 5 108 = 10. 5 IC được chế tạo đồng thời và cũng cùng phương pháp, nên tuổi thọ IC xấp xỉ một tuổi thọ một transistor Planar. 4. Một hệ thống (hay một máy) điện tử có cấu tạo như hình vẽ: Song khái m với mật , nằm hướng tới việc kết tụ toàn thể hệ thống điện tử trên một phiếm (chíp) Các thành phần trong Vật liệu Bộ phận linh kiện Mạch điện tử cơ bản Bộ phận cấu thành hệ thống Hệ thốn điện tử g ố Bộ phận chức năng Sự kết tụ áp dụng vào IC thường thực hiện ở giai đoạn bộ phận chức năng. niệ kết tụ không nhất thiết dừng lại ở giai đoạn này. Người ta vẫn nỗ lực để kết tụ độ cực cao trong IC Năm 1947 1950 1961 1966 1971 1980 1985 1990 Công nghệ Phát minh Transi -stor Linh kiện rời SSI MSI LSI VLSI ULSI GSI Số Transistor trên 1 chip t thương rong các sản phẩm 1 1 10 100→ 1000 1000→ 20000 20000 → 500000 >500000 >1000000 mại Các sản Linh Mạch Vi xử lý phẩm biể BJT kiện planar, Flip Flop đếm, đa cộng Vi xử lý 8 bit, Vi xử chuyên dụng, xử thực tiêu u Diode Cổng logic, hợp, mạch ROM, RAM lý 16 và 32 bit lý ảnh, thờI gian SSI: Small scale integration: Tích hợp qui mô nhỏ MSI: Medium scale intergration: Tích hợp qui mô trung bình scale integration: Tích hợp theo qui mô lớn GSI: Ultra large scal : Tích h mô khổng lồ Tóm lại, công nhệ IC đưa ng điểm l ỹ thuật linh kiện rời như sau - Giá thành sản phẩm - Kích cỡ - Độ khả tín cao (tất cả các thành ph c chế tạo cùng lúc và không có những LSI: Large e integration ợp qui đến nhữ hạ ợi so với k : nhỏ ần đượ Trang 158 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử điểm hàn, nối). - Tăng chất lượng (do giá thành hạ, các mặt phức tạp hơn có thể được chọn để hệ thống nhất). - Các linh kiện được phối hợp tốt (matched). Vì tất cả các transistor được chế tạo đồng cùng một qui trình nên các thông số tương ứng của chúng về cơ bản có cùng độ lớn đối với sự biến thiên của nhiệt độ. l rên một đế bằng chất cách điện, dùng các lớp mà n các thành phần khác. ở, tụ điện, và cuộn cảm điện trở súât nhỏ như Au, Al,Cu... điện trở suất lớn như Ni-Cr; Ni-Cr-Al; bản cực và dùng màng điện môi SiO; ó điện dung lớn hơn 0,02µF/cm2. ạo được cảm lớn ợplý. Trong sơ đồ IC, ngườ ránh dùng cuộn cảm để không Cách điện giữa các bộ phận: Dùng SiO; SiO2; Al2O3. Transistor màng mỏng được nghiên cứu rất nhiều để ứng dụng vào IC i đoậ ực dụng, u p i là ng thực dụng. 2. IC đơn tính thể (Monolithic IC): dùng một đế (Subtrate) bằng chất g là Si). Trên (hay trong) đế đó, người ta chế tạo tran tor de iện ở, tụ điện. Rồi dùng chất cách điện SiO2 để phủ lên che chở cho các b hận ớp iO2, dùng màng kim loại để nối các bộ phận với nhau. − Transistor, diode đều là các bộ phận bán dẫn. − Điện trở: được chế tạo bằng cách lợi dụng điện trở của lớp bán dẫn có khuếch tán tạp chất. − Tụ điện: Được chế tạo bằng cách lợi dụng điện dung của vùng hiếm i một nối P-N bị phân cực nghịch. Đôi khi người ta thêm những thành phần khác hơn của các thành p n kể trên ể dùng cho các mục đích đặc thù đạt đến những tính năng tốt thời và - Tuổi thọ cao. II. CÁC LOẠI IC. Dựa trên qui trình sản xuất, có thể chia IC ra làm 3 1. IC màng (film IC): oại: T ng tạo nê Loại này chỉ gồm các thành phần thụ động như điện tr − Dây nối giữa các bộ phận: Dùng màng kim loại có − Điện trở: Dùng màng kim loại hoặc hợp kim có Cr-Si; Cr có thể tạo nên điện trở có trị số rất lớn. mà thôi. − Tụ điện: Dùng màng kim loại để đóng vai trò SiO2, Al2O3; Ta2O5. Tuy nhiên khó tạo được tụ c − Cuộn cảm: dùng một màng kim loại hình xoắn. Tuy nhiên khó t thước h cuộn quá 5µH với kích i ta t chiếm thể tích. − Có một thời, màng. Nhưng tiếc là transistor màng chưa đạt đến gia ít có triển vọ n th nế không hả Còn gọi là IC bán dẫn (Semiconductor IC) – là IC bán dẫn (thườn sis , dio , đ ộ p đó trên ltr S tạ có thể hầ đ Trang 159 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Các thành phần trên được chế tạo thành một số rất nhiều trên cùng một chip. Có rất hiều mối nối giữa chúng và chúng được cách ly nhờ những nối P-N bị phân cực nghịch (điện àng trăm MΩ) 3. IC lai (hibrid IC). Là loại IC lai giữa hai loại trên Từ vi mạch màng mỏng (chỉ chứa các thành phần thụ động), n a gắn ngay trên đế của nó những thành phần tích cực (transistor, diode) tại những n i đã dành sẵn. Các transistor và diode gắn trong mạch lai không cần có vỏ hay để riêng được bảo vệ bằng một lớp men tráng. Ưu điểm của mạch lai là: - Có thể tạo nhiều IC (Digital hay Analog) - Có khả năng tạo ra các phần tử thụ động có các giá trị khác nhau với sai số nhỏ. iode và ngay cả hế tạo, người ta có thể dùng qui trình phối hợp. Các thành phần tác động nên các đặc tính và thông số của các thành phần thụ độ uộc vào các đặc tính và thông số của các thành phần tác động mà chỉ ph lựa chọn vật liệu, bề dầy và hình dáng. Ngoài ra, vì các transistor của IC lo ật màng, trên một diện Điều khiển tốc độ ngưn rất cao. III. ƠN TINH TH oạn chế tạo một IC đơn tinh thể có thành phần tác động là BJT, được đơn giản n trở có h gười t ơ , mà chỉ cần - Có khả năng đặt trên một đế, các phần tử màng mỏng, các transistor, d các loại IC bán dẫn. Thực ra khi c được chế tạo theo các thành phần kỹ thuật planar, còn các thành phần thụ động thì theo kỹ thuật màng. Nhưng vì quá trình chế tạo các thành phần tác động và thụ động được thực hiện không đồng thời ng không phụ th ụ thuộc vào việc ại này nằm trong đế, nên kích thước IC được thu nhỏ nhiều so với IC chứa transistor rời. IC chế tạo bằng qui trình phối hợp của nhiều ưu điểm. Với kỹ thu tích nhỏ có thể tạo ra một điện trở có giá trị lớn, hệ số nhiệt nhỏ. g động của màng, có thể tạo ra một màng điện trở với độ chính xác SƠ LƯỢC VỀ QUI TRÌNH CHẾ TẠO MỘT IC Đ Ể. Các giai đ hóa gồm các bước sau: Bước 1: 0.15mm 25 – 75mm n - Si Nền P-Si n - Si Nền P-Si 0.5µm SiO2 Hình 1 0.025mm 0.15mm Trang 160 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử a. Từ một nền P-Si (hoặc n-Si) đơn tinh thể b. Tạo một lớp epitaxy mỏng loại N-Si Đầu tiên, vẽ sơ đồ những nơi cần mở cửa sổ, chụp hình sơ đồ rồi lấy phim Những nơi cần mở của sổ là vùng tối trên phim a. Bôi m cản quang trên bề mặt. Đặt phim ở trên rọi tia phim b ể vào dung dịch tricloetylen. Chỉ ữ các b.Lại đem ịch fluorhydric. Chỉ nhữ hác nhờ lớp cản quang che chở. Đem tẩy lớp cản quang d. Khuếch tán chất bán dẫn P sâu đến thân, tạo ra các đảo N. e. Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn P vào các đảo N (khuếch tán Base) f. Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn N vào (khuếch tán Emitter) g. Phủ kim loại. Thực hiện các chỗ nối Thí dụ: Một mạch điện đơn giản như sau, được chế tạo dưới dạng IC đơn tinh thể. c. Phủ một lớp cách điện SiO2 Bước 2: Dùng phương pháp quang khắc để khử lớp SiO2 ở một số chỗ nhất định, tạo ra các cửa sổ ở bề mặt tinh thể. Từ các cửa sổ, có thể khuếch tán tạp chất vào. P-Si film uv Chất cảm quang SiO2 n-Si P-Si Chất cảm âm bản, thu nhỏ lại. ột lớp quang SiO2 n-Si Hòa tan Rắn lại P-Si cực tím vào những nơi cần mở cửa sổ được lớp đen trên ảo vệ. Nhúng tinh th Hòa tan nh ng nơi cần mở cửa sổ lớp cản quang mới bị hòa tan, nơi khác rắn lại. tinh thể nhúng vào dung d ng nơi cần mở cửa sổ lớp SiO2 bị hòa tan, những nơi k c. SiO2 n-Si Thân P n n SiO2 Khuếch tán p Đảo Nền P n n SiO2 Khuếch tán Base p p Nền P n n SiO2 Khuếch tán Emitter p p n n Hình 2 5 1 D1 D1 3 42 R Hình 3 Trang 161 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Trang 162 Biên soạn: Trương Văn Tám IV. IC SỐ (IC DIGITAL) VÀ IC TƯƠNG TỰ (IC ANALOG). Dựa trên chức năng xử lý tín hiệu, người ta chia IC là hai loại: IC Digital và IC Analog (còn gọi là IC tuyến tính) 1. IC Digital: Là loại IC xử lý tín hiệu số. Tín hiệu số (Digital signal) là tín hiệu có trị giá nhị phân (0 và 1). Hai mức điện thế tương ứng với hai trị giá (hai logic) đó là: - Mức High (cao): 5V đối với IC CMOS và 3,6V đối với IC TTL - Mức Low (thấp): 0V đối với IC CMOS và 0,3V đối với IC TTL Thông thường logic 1 tương ứng với mức H, logic 0 tương ứng với mức L Logic 1 và logic 0 để chỉ hai trạng thái đối nghịch nhau: Đóng và mở, đúng và sai, cao và thấp Chủng loại IC digital không nhiều. Chúng chỉ gồm một số các loại mạch logic căn bản, gọi là cổng logic. Về công nghệ chế tạo, IC digital gồm các loại: - RTL: Resistor – Transistor logic - DTL: Diode – Transistor logic - TTL: Transistor – Transistor logic Thân p n p n p n+ n p n+ n+n+ n+ Điện trở 2B Diode 1B Transistor 5 4B Diode nối 3B Kim loại Al B SiOB2 Collector Base Emitter Tiếp xúc kim loại Hình 4B Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Trang 163 Biên soạn: Trương Văn Tám - MOS: metal – oxide Semiconductor - CMOS: Complementary MOS 2. IC analog: Là loại IC xử lý tín hiệu Analog, đó là loại tín hiệu biến đổi liên tục so với IC Digital, loại IC Analog phát triển chậm hơn. Một lý do là vì IC Analog phần lớn đều là mạch chuyện dụng (special use), trừ một vài trường hợp đặc biệt như OP-AMP (IC khuếch đại thuật toán), khuếch đại Video và những mạch phổ dụng (universal use). Do đó để thoả mãn nhu cầu sử dụng, người ta phải thiết kế, chế tạo rất nhiều loại khác nhau. Tài liệu tham khảo ********** 1. Fleeman - Electronic Devices, Discrete and Intergrated - Printice - Hall International- 1998. 2. Boylestad and Nashelky - Electronic Devices and Circuit Theory - Printice - Hall International 1998. 3. J.Millman - Micro electronics, Digital and Analog, Circuits and Systems - Mc.Graw.Hill Book Company - 1979. 4. Nguyễn Hữu Phương - Điện tử trung cấp - Sở Giáo Dục & Đào Tạo TP HCM-1992
File đính kèm:
- giao_trinh_linh_kien_dien_tu_truong_van_tam.pdf