Bài giảng Mạch điện tử - Chương 5: Đáp ứng tần số - Nguyễn Thanh Tuấn
Đáp ứng biên độ và pha
? Đáp ứng tần số tổng quát của mạch khuếch đại RC
? Phương pháp vẽ tiệm cận
? Thang logarith
? Trở kháng tương đương RC
? Song song
? Nối tiếp
Tóm tắt nội dung Bài giảng Mạch điện tử - Chương 5: Đáp ứng tần số - Nguyễn Thanh Tuấn, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút "TẢI VỀ" ở trên
-32 Ảnh hưởng của tụ thoát và tụ ghép ngõ ra (tt) * * / / ( ) . . . / / / / ib C bL L i ib LC Cc i E Eb i R RRi i A s hfe i i i R R Z R R hie R C * * 1 / / . ( ) . . . . 1 1/ / ( ) .( / /( / / ) E iC b e e iLC b L EC C s R RR C Rs A s hfe R R R R hie s s C R R C R hie Ri Rb Chương 5-33 Ảnh hưởng của tụ thoát và tụ ghép ngõ ra (tt) 2 1 2 . ( )( ) . zim p p s jA ss A s s s •Aim = Ai (jω)| ω => +∞ = • ωp1 = •ωp2 = là các cực của hàm truyền đạt / / . . / / iC b iLC b R RR hfe R R R R hie 1 .( )c LCC R R * * 1 .( / /( / / ) E E C R hie Ri Rb • ωz2 = zero của hàm truyền đạt 1 .e eR C Chương 5-34 Ảnh hưởng của tụ thoát và tụ ghép ngõ ra (tt) Giả sử ωp1 < ωz2 < ωp2 ωp1 ωz2 ωp2 ≈ ω L ω(rad/s) |Ai |dB |Aim | Chương 5-35 Ảnh hưởng của tụ thoát và tụ ghép ngõ ra (tt) Tìm tần số cắt thấp ωL = 2πfL Giả sử ωp1 nếu gần đúng: 2 2 2 2 2 2 2 1 2 | | | ( ) | 2 | | | | 2. L L z ii m im L L m L p i p AA A A 2 2 2 2 2 2 2 2 1 2( )2 ( ).( )L L z L Lp p 2 2 4 2 2 2 2 2 1 2 1 2]([ ). . 0zL Lp p p p 2 2 2 2 2 1 2 2 2 2 1 2. 0 p p z p p p 4 2 2 2. 0L Lp 2L p Chương 5-36 5.3 Đáp ứng tần số cao Mô hình tương đương của BJT và FET Định lý Miller Mạch CE (CS) – Hiệu ứng Miller Chương 5-37 Mô hình tương đương của BJT và FET Chương 5-38 Các thông số tần số cao của BJT Chương 5-39 Định lý Miller Y Y1 Y2 I1 I2 V1 V2 V1 V2 I1 I2 Chương 5-40 Mạch CE tần số cao Chương 5-41 Mạch CE tần số cao (tt) Chương 5-42 Mạch CE tần số cao (tt) Chương 5-43 Mạch CE tần số cao (tt) 20lgAim ω5 20lg|A| (dB) ω (rad/s) Chương 5-44 Mạch CE tần số cao (tt) Để tăng tính ổn định, người ta thường gắn thêm 1 tụ CBC từ cực B sang cực C cĩ giá trị tầm vài nF để hồi tiếp âm. Khi đĩ tổng điện dung giữa cực B và E là C = Cbe + C’M Với C’M là điện dung Miller cĩ được khi áp dụng định lý Miller với Cbc//CBC C’M= (CBC+Cbc)( 1 + gmR’L ) sẽ được ảnh hưởng nhiều nhất bởi tụ CBC , do đĩ ta chủ động điều chỉnh được đáp ứng của mạch khuếch đại bằng cách điều chỉnh CBC C’M ≈ CBC( 1 + gmR’L ) Chương 5-45 Mạch CS tần số cao gd m ddsgd C g RrC || 1 Mạch CS với hồi tiếp được loại bỏ Điện dung Miller (cách phân tích giống như mạch BJT Mạch tương đương với CM ở trên chỉ tồn tại khi điều kiện sau thỏa mãn: Chương 5-46 Mạch CS tần số cao (tt) Mgsi h Mgsi ddsm i d v CCr f CCrj Rrg v v A 2 1 1 1 || Chương 5-47 Mạch CS tần số cao (tt) 1|| khi ||1 /1 || ddsm ddsgd mgd ddsm i d v Rrg RrCj gCj Rrg v v A Chương 5-48 Mạch CD (SF) tần số cao sdsm gs sds gd i Rrg Cj Rr i v Z ||1 1 ||' Mạch SF ở tần số cao (bỏ qua phân cực) Mạch tương đương SF ở tần số cao Chương 5-49 Mạch CD (SF) tần số cao (tt) gsm Cg / 49 Mạch nguyên vẹn Mạch khi Mạch khi gsm Cg / Chương 5-50 Mạch CD (SF) tần số cao (tt) gdsds sds gd i CCRrj RrCj Cj Z 1 ' 1 || 1 1 ||' 1 1 1 Mạch tương đương SF ở tần số cao Chương 5-51 Mạch CD (SF) tần số cao (tt) gdimgs igsgd mvo i o CrjgCj rCCj gi v Z i 1/1 11 0 ' ' Mạch tương đương SF ở tần số cao Chương 5-52 Mạch CD (SF) tần số cao (tt) i g g s i s v v v v v v v A 1|| vì1 ||1 || 1 1 ||1 || sdsm sdsm sds gs m gs sdsm sdsm g s Rrg Rrg Rr Cj g Cj Rrg Rrg v v gsmsdsmgsgdii g Cg RrgCCrjv v / khi ||(1/1 1 Mạch tương đương SF ở tần số cao gsmsdsigd sdsi ii g Cg RrrCj Rrr rv v / khi ||||1 ||||1 hoac Chương 5-53 Mạch CD (SF) tần số cao (tt) gm = 10-3 mho rds = 10 kΩ Cgs = 100 pF Cgd = 1 pF Tìm ωH Chương 5-54 Mạch CD (SF) tần số cao (tt) Chương 5-55 Mạch CD (SF) tần số cao (tt) Chương 5-56 TÓM TẮT Đáp ứng tần số tổng quát Đáp ứng tần số thấp Đáp ứng tần số cao Chương 5-57 BÀI TẬP 1 Cho các thơng số: Vcc=20v, R1=10k, R2=100k, ri=10k, Re=0.1k, RC=1k, RL=1k, Ce=10 μF , Cc=20 μF, hfe=50. a) Vẽ sơ đồ bé tín hiệu tương đương ở tần số thấp. b) Xác định độ lợi Ai, c) Vẽ biểu đồ Bode . Chương 5-58 BÀI TẬP 2 a) Tính độ lợi dãy giữa Aim b) Tìm tần số 3 dB fh Các thơng số của mạch: Vcc= 20v ωr=10 9 rad/s hfe= 100 Cb’c= 5 pF rbb’=0 ICQ= 10 mA Chương 5-59 BÀI TẬP 3 Các phép đo đạc chỉ ra rằng mạch khuếch đại chỉ ra hình B.11.1 cĩ độ lợi dãy giữa là 32dB, tần số cắt trên 3dB là 800Hz và dịng tĩnh emitter là 2mA. Giả sử rằng rbb = Cb’c = 0, tìm hfe, rb’e và Cb’e. Chương 5-60 BÀI TẬP 4 Cho transistor như trong hình, wT =10 9 rad/s, hfe = 20, Cbe =6pF, rbb’ =0 và IEQ =1mA. Hãy tìm độ lợi áp dãy giữa và tần số cắt trên 3dB. Chương 5-61 BÀI TẬP 5 Tìm độ lợi dịng dãy giữa và tần số cắt trên 3dB cho mạch khuếch đại hình dưới. Giả sử các transisitor cĩ các đặc tuyến cho trong bài 11.4. Chương 5-62 BÀI TẬP 6 Cho transistor trong hình b11.6 Hãy tìm và vẽ trên đĩ biểu đồ tiệm cận cho độ lợi điện áp. ' ' ' '20 , 1 , 1000 , 10 và g 0,05bb b e b e b e mr r K C pF C pF mho Chương 5-63 BÀI TẬP 7 Cho bộ kéo theo nguồn cho trong hình B11.10, hãy vẽ: 0 0 ) | | ) |Z | theo ) | | i i v a Z theo b v c A theo v Zi Zo S Chương 5-64 BÀI TẬP 8 Tính và vẽ |Yo| cho bộ kéo theo nguồn cho trong hình B11.11 Chương 5-65 ĐÁP ÁN 1 Rb=R1//R2= 10k // 1o0k =10k VBB = VCC.R1/(R1+R2)=20.10/110= 1.81V ICQ = (VBB -0.7)/(Rb /hfe + Re)=3.7 mA Suy ra hie=o.34k Z1=(hfe +1).[Re // 1/sCe] =51.(o.1 // 1o5/s)= 51.105 / (s + 105 ) Z2= RL + 1/sCc = 10 3 + 5.104 /s Ai 24 16 0 25 1o3 1485 Chương 5-66 ĐÁP ÁN 2 Rb=R1//R2=10k//1k= 0.9k gm=40ICQ= 0.4 mho Cb’e=gm/ωT= 400 pF CM = [1 + gm.(Rc//RL)]Cb'c = 1000 (pF) Aim= -gm.[Rc/(RC+ RL)].[ rb’e.( ri // Rb) / ( ri // Rb + rb’e)] = -38 ωh=3.64 (Mrad/s) Chương 5-67 ĐÁP ÁN 3 Aim = iL ii = -gmrb’e Rb Rb+rb'e = -32 Ta cĩ : rb’e = 25 2 hfe = 12,5hfe Từ (1) và (2) suy ra : 1000hfe – 500hfe = 32x 103 hfe = 64 rb’e = 800Ω Mặc khác : Tần số cắt wβ = 1 (Rb//rb'e)Cb'e Cb’e = 1 (Rb//rb'e)wβ = 44,76µF Chương 5-68 ĐÁP ÁN 4 a) Dễ thấy : Avm = VL Vi 1 b) Av = VL Vi = VL Vb' Vb' Vi Chương 5-69 ĐÁP ÁN 4 (tt) Ta cĩ Ve Vb' = 0.04+0.002+jw40x10 -12 0.04+0.004+jw40x10 -12 1 Với w < wβ Ve Vb' = 1 1+jw3x10 -9 Lấy w = wβ = 50x10 6 Vb' Vi = 1 1+jw0.15 1 Từ 13.1 -26c (SGK) w>wβ Chương 5-70 ĐÁP ÁN 4 (tt) 1+s10 -9 1+50x10 -10 s+s 2 3x10 -18 2(1+10-18w2h) = (1-3x10 -18 w 2 h) 2 +25x10 -18 w 2 h = 1+9x10 -36 w 4 h+19x10 -18 w 2 h wh = 2.45x10 8 rad/s Vb' Vi = 1+5500(2x10 -2 ) 1+s[(500+500)2x10 -2 +500(6pF)]+s 2 (500x2x10 -12 )3x10 -9 Chương 5-71 ĐÁP ÁN 5 Độ lợi dịng dãy giữa : Aim = IL ii = IL 0.4Vb'e2 0.4Vb'e2 0.4Vb'e1 0.4Vb'e1 ii = - Rc2 Rc2+RL 0.4 Rc1 Rc1+hib 0.4 Ri Ri+rb'e1 -6.6 Chương 5-72 ĐÁP ÁN 5 (tt) Áp dụng Miller : Đối với transistor 1: CM = Cb’e1(1+0.4hib) = 6(1+0.4x5) 12pF CT = CM + Cb’e1 = 52pF Tần số cắt : Wh1 = 1 (Ri//rb'e1)CT = 1 333(52x10 -12 ) = 57.7Mrad/s Wh2 = 1 (Rc2//RL)Cb'e2 = 1 500(6x10 -12 ) = 333Mrad/s Chương 5-73 ĐÁP ÁN 6 ' 50 1 51 b i v v h 11 ' 83 1 1 1 101 10 10 b i v v jj Chương 5-74 ĐÁP ÁN 6 (tt) 2 2 2;2(1 4 ) (1 2 ) 25 27 /h h h h h Mrad s 9 3 11 ' 3 11 3 11 2 3 11 8 8 8 2 16 10 ' 20 1 0,05(1000) 1 10 2 10 1 [2 10 2 10 10 10 ] 10 (2 10 )10 1 2 10 1 10 2 10 h b T i C pF v j A v j j j 6 50 52 1/ ( 20 10 ) 1 e i v k j v k j j Chương 5-75 ĐÁP ÁN 7 -3 -3 , i -12 -9 g g, 0 v-9 -9 i g Cgs=6pF;Cgd=2pF;gm=3 10 ;rds=83k [1+3 10 (800) z =800+ jω6 10 v v1+jω8 10 z =330 ;A = (1+jω2×10 )(1+jω2×10 ) v v m g -12 -12 i ds s -9 s -9 g v 800//1000 1 1 = =0,445 v 1000 1+(1+jω2×10 (800//1000) 1+jω890×10 g (r //R )=2,4 v 2,4 1+jω×10 = v 3,4 1+jω×10(1+jω0,89 ×10 ) Chương 5-76 ĐÁP ÁN 8 1 39 1 1 15 9 9 12 6 1 9 9 9 1 19 9 12 1 3 1000 0,625 101 2 10 1000 1 10 1 8 10 1 2 10 6 10 5 1 10 800 1 8 10 5 1 2 10 1 2 10800( 1) 1 8 10 1 8 10 6 10 ( 6 10 gs g g g g gs i gs i v v v vj v v v j j j j v v j jv j v v v v j j i j v v j 9 2 9 1 2 10 ) 1 8 10 j j Chương 5-77 ĐÁP ÁN 8 (tt) 1 4 9 9 121 0 9 9 1 9 2 3 0 9 4000 1 1 2 10 1 2 10 6 10 1 8 10 1 8 10 1 (1 2 10 ) 3 10 4000 1 8 10 m ds v i i j j y g j v r j j j y j 3 1 0 1 1 2 2 3 4 83 ; 3 10 ;ds m i m gs ds v r k g z i v i i g v r i i i
File đính kèm:
- bai_giang_mach_dien_tu_chuong_5_dap_ung_tan_so_nguyen_thanh.pdf