Ôn tập Dụng cụ bán dẫn - Chương 5, 6, 7

112Nội dungÔn tập chương 5,6,73 Ôn tập – just for FUNCâu 1: BJT là thuộc loại dụng cụ lưỡng cực vì:cấu tạo BJT gồm 2 cực dương và âm b) cấu tạo gồm 1 cực mắc chung và 2 cực vào-rac) dòng điện sinh ra bởi điện tử và lỗ trốngd) có 2 cực thuộc bán dẫn loại Ne) cả 4 ĐS trên đều sai CCâu 2: Nồng độ tạp chất của các miền trong BJT có thứ tự từ nhỏ đến lớn như sau:miền C, E, B b) miền B, E, C c) miền C, B, Ed) miền B, C, E e) cả 4 ĐS trên đều sai 	D4 Ôn tập – just for FUNCâu 3: Dòng điện trong BJT tạo thành bởi: a) chỉ do các điện tử b) điện tử với NPN và lỗ với PNP c) điện tử với PNP và lỗ với NPN d) cả điện tử và lỗ e) cả 4 ĐS trên đều sai CCâu 4: Điện trở ra của BJT NPN (mắc CE được phân cực ở chế độ khuếch đại) có giá trị hữu hạn do: sự rò bề mặt trên JC b) điện trở khối của miền thuc) điện trở khối của miền nền d) bề rộng miền nền hẹp hơn khi VCB tănge) cả 4 ĐS trên đều sai5 Ôn tập – just for FUNCâu 5: BJT tốt có hệ số vận chuyển miền nền B, hiệu suất cực phát E như sauB tiến về 1, E tiến về 0 b) B, E tiến gần tới 1c) B tiến về 0, E tiến về vô cùng d) B tiến về 0, E tiến về 1 Be) cả 4 ĐS trên đều saiCâu 6 Để cho hệ số vận chuyển miền nền B tốt hơn thì người ta phảităng nồng độ tạp chất ở miền nền b) giảm bề rộng miền nềnc) tăng nồng độ tạp chất ở miền phátd) b và c e) cả 4 ĐS trên đều sai D6 Ôn tập – just for FUNCâu 7: Tham số  trong BJT được gọi làđộ lợi dòng CB b) độ lợi dòng CEc) độ lợi dòng CC d) độ lợi dòng CSe) cả 4 ĐS trên đều sai BCâu 8: Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi nhiệt độ tăng thì điện áp VBEa) Tăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôi e) cả 4 ĐS trên đều sai7 Ôn tập – just for FUNCâu 9: Trong BJT miền được pha tạp chất nhiều nhất là miền:Đế b) nền c) thu d) phát e) cả 4 ĐS trên đều sai DCâu 10: BJT NPN hoạt động ở chế độ tích cực thuận khi:JE và JC phân cực thuận b) JE phân cực thuận và JC phân cực ngược c) JE hoặc JC phân cực thuậnd) JE và JC phân cực ngược Be) cả 4 ĐS trên đều sai8 Ôn tập – just for FUNCâu 11 Dòng bão hòa IS trong BJT phụ thuộc vào diện tích mặt cắt ngang tại miền phát AE, nồng độ tạp chất tại miền nền NA và bề rộng phần trung hòa trong miền nền W như sau:IS tỉ lệ thuận với AE, NA và W b) IS tỉ lệ thuận với AE, NA và tỉ lệ nghịch với Wc) IS tỉ lệ thuận với AE, tỉ lệ nghịch với NA và Wd) IS tỉ lệ thuận với W và tỉ lệ nghịch với AE và NAe) cả 4 ĐS trên đều sai C9 Ôn tập – just for FUNCâu 12: Để cho hiệu suất phát tốt hơn thì người ta phảităng nồng độ tạp chất ở miền nền b) tăng bề rộng miền nền c) giảm bề rộng miền nềnd) tăng nồng độ tạp chất ở miền thu Ce) cả 4 ĐS trên đều saiCâu 13 Trị số  của BJT: là hằng số b) phụ thuộc IC c) phụ thuộc nhiệt độd) b và ce) cả 4 ĐS trên đều sai D10 Ôn tập – just for FUNCâu 14: Với BJT được dùng làm khóa điện tử, người ta thường dùng cách mắc: CD b) CB c) CE d) CCe) cả 4 ĐS trên đều sai CCâu 15: Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi nhiệt độ tăng thì dòng ICa) Tăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôi e) cả 4 ĐS trên đều sai11 Ôn tập – just for FUNCâu 16: Xét BJT NPN mắc CE, khi nhiệt độ tăng thìĐặc tuyến vào và ra đều dịch về phía chiều giảm của dòng điệnb) Đặc tuyến vào dịch chuyển theo chiều giảm của áp vào, đặc tuyến ra dịch chuyển theo chiều tăng của dòng rac) Đặc tuyến vào và ra không đổi d) Đặc tuyến vào dịch chuyển theo chiều tăng của áp vào, đặc tuyến ra dịch chuyển theo chiều tăng của áp rae) cả 4 ĐS trên đều sai	B12 Ôn tập – just for FUNCâu 17: Xét BJT NPN phân cực ở chế độ tích cực thuận, khi VCE tăng thì bề rộng hiệu dụng của miền nền:Tăng b) không đổi c) giảm d) giảm đi 3 lầne) cả 4 ĐS trên đều sai CCâu 18: Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi tăng VCE thì dòng ICTăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôie) cả 4 ĐS trên đều sai13 Ôn tập – just for FUNCâu 19: Điện áp đánh thủng BVCBO trong CB, BVCEO trong CE phụ thuộc vào IE và IB như sau:BVCBO không bị ảnh hưởng bởi IE, BVCEO tỉ lệ nghịch vói IBb) BVCBO và BVCEO không bị ảnh hưởng bởi IE và IB c) BVCBO bị ảnh hưởng bởi IE, BVCEO tỉ lệ thuận vói IBd) BVCBO tỉ lệ nghịch IE, BVCEO tỉ lệ thuận vói IBe) cả 4 ĐS trên đều sai A14 Ôn tập – just for FUNCâu 20: Với BJT mắc CB thì điện áp đánh thủng BVCB tăng khi IE tăng b) tăng khi IE giảmc) giảm khi IE tăng d) không bị ảnh hưởng bởi IEe) cả 4 ĐS trên đều saiCâu 21: Dòng điện rò ICBO (dòng từ C đến B khi E hở mạch) và ICEO (dòng từ C đến E khi B hở mạch) trong BJT có quan hệ với dòng IB,IC và IE trong 2 cấu hình CB và CEnhư sau, với ICEO = ICBO/(1-) , IC = .IBCB: IC = IE - ICBO CE: IC = IB + ICEOb) CB: IC = IE + ICBO CE: IC = IB + ICEOc) CB: IC = IE - ICBO CE: IC = IB – ICEOd) CB: IC = IE - ICBO CE: IC = IB + ICEOe) cả 4 ĐS trên đều sai B15 Ôn tập – just for FUNCâu 22: Người ta dùng transistor Schottky cho ứng dụngnguồn dòng b) dòng lớn c) công suất lớnd) tốc độ chuyển mạch nhanhe) cả 4 ĐS trên đều saiCâu 23: Trong mạch gương dòng điện dùng BJT, điều kiện để có gương dòng điện là:1 trong 2 BJT ở chế độ tích cực thuận b) 2 BJT luôn ở chế độ tích cực thuậnc) 2 BJT có đặc tính giống nhaud) b và c e) cả 4 ĐS trên đều sai D16 Ôn tập – just for FUNCâu 24: JFET thuộc loại dụng cụlưỡng cực b) đơn cực c) công suấtd) tuyến tính e) 4 ĐS trên đều sai BCâu 25: JFET có thể được dùng làm nguồn dòng trong miềnTắt b) Bão hòa c) Triode d) Tuyến tínhe) 4 ĐS trên đều sai B17 Ôn tập – just for FUNCâu 26: JFET là dụng cụlưỡng cực b) hoạt động chế độ giàuc) hoạt động chế độ nghèod) đèn điện tử e) 4 ĐS trên đều saiCâu 27: Để điều khiển dòng điện kênh dẫn của JFET người ta sẽ dùng cách nào tác động với cực cổng và kênh dẫntừ trường b) nguồn dòng c) điện trườngd) dòng điện lớn e) 4 ĐS trên đều sai C18 Ôn tập – just for FUNCâu 28: JFET kênh N được mắc CS trong mạch khuếch đại, thường có điện trở vào lớn vì:VGS > 0 b) VGS=0 c) VGS VGS,off) thì quan hệ giữa VDS và ID là:lũy thừa b) hàm mũc) Hyperbol d) tuyến tínhe) 4 ĐS trên đều sai D19 Ôn tập – just for FUNCâu 30: Khi phân cực VDS giá trị nhỏ, người ta có thể đảo ngược vai trò của D và S được không?nếu thêm R ở G b) nếu thêm R ở S c) đượcd) không được e) 4 ĐS trên đều saiCâu 31: Trong đặc tuyến ra của JFET kênh N thì dòng ID lớn nhất khi VGS > 0 b) VGS=0 c) VGS VTN và VDS VTN và VDS >VGS–VTN Bd) VGS VGS–VTNe) 4 ĐS trên đều sai22 Ôn tập – just for FUNCâu 36:Dòng điện cổng (IG) trong MOSFETtăng khi VGS>0 b) giảm khi VGS0 Ce) 4 ĐS trên đều saiCâu 37: Tụ MOS gồm 3 miền kim loại, bán dẫn và kim loạib) kim loại, bán dẫn và nhựac) kim loại, oxide và bán dẫn C d) kim loại, oxide và kim loại e) 4 ĐS trên đều sai23 Ôn tập – just for FUNCâu 38:MOSFET loại giàu khi chưa được phân cực thìcó sẵn kênh dẫn b) không có sẵn kênh dẫnc) miền nghèo làm nghẹt kênh dẫn Bd) tích lũy hạt dẫn thiểu số e) 4 ĐS trên đều saiCâu 39: Xét tụ MOS của N-EMOS được phân cực: VFB 4.5b)  1.3c)  5.2d)  4.8e) 4 ĐS trên đều sai33 Ôn tập – just for FUNCâu 52: Hình vẽ là mạch gương dòng điện với M1 và M2 có các tham số: ; VTN,M1=VTN,M2; M1=M2=0. Muốn có Ix=3Ibias thì (W/L)M2/(W/L)M1 bằng4 b) 6 c) 3/2 d) 2/3 e) 4 ĐS trên đều sai B34 Ôn tập – just for FUNGOOD LUCK!Mạch ở hình 4 có R1=800K, R2=500K, RD=4K, RS=1K và dùng N-EMOS có VTN=1V, =2mA/V2 , và VA=150V. MOSFET này có gm (khi tính IDQ cho =0) và điện trở ra ro là (gm; ro)a) (3.5mS;94.3K)b) (3.2mS;80K)c) (2.85mS;53K)d) (2.52mS;94.34K)e) 4 ĐS trên đều sai