Ôn tập Dụng cụ bán dẫn
Câu 11 Dòng bão hòa IS trong BJT phụ thuộc vào diện tích mặt cắt ngang tại miền phát AE, nồng độ tạp chất tại miền nền NA và bề rộng phần trung hòa trong miền nền W như sau:
a) IS tỉ lệ thuận với AE, NA và W
b) IS tỉ lệ thuận với AE, NA và tỉ lệ nghịch với W
c) IS tỉ lệ thuận với AE, tỉ lệ nghịch với NA và W
d) IS tỉ lệ thuận với W và tỉ lệ nghịch với AE và NA
e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 12: Để cho hiệu suất phát tốt hơn thì người ta phải
a) tăng nồng độ tạp chất ở miền nền
b) tăng bề rộng miền nền
c) giảm bề rộng miền nền
d) tăng nồng độ tạp chất ở miền thu
e) cả 4 ĐS trên đều sai
Tóm tắt nội dung Ôn tập Dụng cụ bán dẫn, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút "TẢI VỀ" ở trên
rên đều sai Câu 4: Điện trở ra của BJT NPN (mắc CE được phân cực ở chế độ khuếch đại) có giá trị hữu hạn do: sự rò bề mặt trên JC b) điện trở khối của miền thu c) điện trở khối của miền nền d) bề rộng miền nền hẹp hơn khi VCB tăng e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 5: BJT tốt có hệ số vận chuyển miền nền B, hiệu suất cực phát gE như sau B tiến về 1, gE tiến về 0 b) B, gE tiến gần tới 1 c) B tiến về 0, gE tiến về vô cùng d) B tiến về 0, gE tiến về 1 e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 6 Để cho hệ số vận chuyển miền nền B tốt hơn thì người ta phải tăng nồng độ tạp chất ở miền nền b) giảm bề rộng miền nền c) tăng nồng độ tạp chất ở miền phát d) b và c e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 7: Tham số b trong BJT được gọi là độ lợi dòng CB b) độ lợi dòng CE c) độ lợi dòng CC d) độ lợi dòng CS e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 8: Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi nhiệt độ tăng thì điện áp VBE: a) Tăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôi e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 9: Trong BJT miền được pha tạp chất nhiều nhất là miền: Đế b) nền c) thu d) phát e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 10: BJT NPN hoạt động ở chế độ tích cực thuận khi: JE và JC phân cực thuận b) JE phân cực thuận và JC phân cực ngược c) JE hoặc JC phân cực thuận d) JE và JC phân cực ngược e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 11 Dòng bão hòa IS trong BJT phụ thuộc vào diện tích mặt cắt ngang tại miền phát AE, nồng độ tạp chất tại miền nền NA và bề rộng phần trung hòa trong miền nền W như sau: IS tỉ lệ thuận với AE, NA và W b) IS tỉ lệ thuận với AE, NA và tỉ lệ nghịch với W c) IS tỉ lệ thuận với AE, tỉ lệ nghịch với NA và W d) IS tỉ lệ thuận với W và tỉ lệ nghịch với AE và NA e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 12: Để cho hiệu suất phát tốt hơn thì người ta phải tăng nồng độ tạp chất ở miền nền b) tăng bề rộng miền nền c) giảm bề rộng miền nền d) tăng nồng độ tạp chất ở miền thu e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 13 Trị số b của BJT: là hằng số b) phụ thuộc IC c) phụ thuộc nhiệt độ d) b và c e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 14: Với BJT được dùng làm khóa điện tử, người ta thường dùng cách mắc: CD b) CB c) CE d) CC e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 15: Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi nhiệt độ tăng thì dòng IC a) Tăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôi e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 16: Xét BJT NPN mắc CE, khi nhiệt độ tăng thì Đặc tuyến vào và ra đều dịch về phía chiều giảm của dòng điện b) Đặc tuyến vào dịch chuyển theo chiều giảm của áp vào, đặc tuyến ra dịch chuyển theo chiều tăng của dòng ra c) Đặc tuyến vào và ra không đổi d) Đặc tuyến vào dịch chuyển theo chiều tăng của áp vào, đặc tuyến ra dịch chuyển theo chiều tăng của áp ra e) Cả 4 ĐS trên đều sai Câu 17: Xét BJT NPN phân cực ở chế độ tích cực thuận, khi VCE tăng thì bề rộng hiệu dụng của miền nền: Tăng b) không đổi c) giảm d) giảm đi 3 lần e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 18: Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi tăng VCE thì dòng IC Tăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôi e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 19: Điện áp đánh thủng BVCBO trong CB, BVCEO trong CE phụ thuộc vào IE và IB như sau: BVCBO không bị ảnh hưởng bởi IE, BVCEO tỉ lệ nghịch vói IB b) BVCBO và BVCEO không bị ảnh hưởng bởi IE và IB c) BVCBO bị ảnh hưởng bởi IE, BVCEO tỉ lệ thuận vói IB d) BVCBO tỉ lệ nghịch IE, BVCEO tỉ lệ thuận vói IB e) Cả 4 ĐS trên đều sai Câu 20: Với BJT mắc CB thì điện áp đánh thủng BVCB tăng khi IE tăng b) tăng khi IE giảm c) giảm khi IE tăng d) không bị ảnh hưởng bởi IE e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 21: Dòng điện rò ICBO (dòng từ C đến B khi E hở mạch) và ICEO (dòng từ C đến E khi B hở mạch) trong BJT có quan hệ với dòng IB,IC và IE trong 2 cấu hình CB và CE như sau, với ICEO = ICBO/(1-a) , IC = b.IB CB: IC = IE - bICBO CE: IC = bIB +a ICEO b) CB: IC = aIE + ICBO CE: IC = bIB + ICEO c) CB: IC = aIE - ICBO CE: IC = bIB – ICEO d) CB: IC = IE - ICBO CE: IC = bIB + aICEO e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 22: Người ta dùng transistor Schottky cho ứng dụng nguồn dòng b) dòng lớn c) công suất lớn d) tốc độ chuyển mạch nhanh e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 23: Trong mạch gương dòng điện dùng BJT, điều kiện để có gương dòng điện là: 1 trong 2 BJT ở chế độ tích cực thuận b) 2 BJT luôn ở chế độ tích cực thuận c) 2 BJT có đặc tính giống nhau d) b và c e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu 24: JFET thuộc loại dụng cụ lưỡng cực b) đơn cực c) công suất d) tuyến tính e) 4 ĐS trên đều sai Câu 25: JFET có thể được dùng làm nguồn dòng trong miền Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Tuyến tính e) 4 ĐS trên đều sai Câu 26: JFET là dụng cụ lưỡng cực b) hoạt động chế độ giàu c) hoạt động chế độ nghèo d) đèn điện tử e) 4 ĐS trên đều sai Câu 27: Để điều khiển dòng điện kênh dẫn của JFET người ta sẽ dùng cách nào tác động với cực cổng và kênh dẫn từ trường b) nguồn dòng c) điện trường d) dòng điện lớn e) 4 ĐS trên đều sai Câu 28: JFET kênh N được mắc CS trong mạch khuếch đại, thường có điện trở vào lớn vì: VGS > 0 b) VGS=0 c) VGS < 0 d) pha nhiều tạp chất e) 4 ĐS trên đều sai Câu 29: Với JFET kênh N, VDS giá trị nhỏ và khi thay đổi VGS (VGS> VGS,off) thì quan hệ giữa VDS và ID là: lũy thừa b) hàm mũ c) Hyperbol d) tuyến tính e) 4 ĐS trên đều sai Câu 30: Khi phân cực VDS giá trị nhỏ, người ta có thể đảo ngược vai trò của D và S được không? nếu thêm R ở G b) nếu thêm R ở S c) được d) không được e) 4 ĐS trên đều sai Câu 31: Trong đặc tuyến ra của JFET kênh N thì dòng ID lớn nhất khi VGS > 0 b) VGS = 0 c) VGS < 0 d) VDS = VGS e) 4 ĐS trên đều sai Câu 32: Xét JFET kênh N hoạt động ở miền bão hòa, khi nhiệt độ tăng thì dòng ID Tăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôi e) 4 ĐS trên đều sai Câu 33: JFET kênh N có VP=-3V, nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S so với đất là: VD=2.5V, VG=1V, và VS= 3V trong mạch thì JFET hoạt động ở miền Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Đánh thủng e) 4 ĐS trên đều sai Câu 34: MOSFET có thể được dùng làm điện trở được điều khiển bằng điện áp trong miền Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Tích cực e) 4 ĐS trên đều sai Câu 35: Điều kiện nào sau đây dùng để xác định N-EMOS ở miền triode VGS < VTN và VDS<VGS–VTN b) VGS > VTN và VDS<VGS–VTN c) VGS > VTN và VDS >VGS–VTN d) VGS VGS–VTN e) 4 ĐS trên đều sai Câu 36:Dòng điện cổng (IG) trong MOSFET tăng khi VGS>0 b) giảm khi VGS< 0 c) luôn luôn = 0 d) có khi VDS>0 e) 4 ĐS trên đều sai Câu 37: Tụ MOS gồm 3 miền kim loại, bán dẫn và kim loại b) kim loại, bán dẫn và nhựa c) kim loại, oxide và bán dẫn d) kim loại, oxide và kim loại e) 4 ĐS trên đều sai Câu 38: MOSFET loại giàu khi chưa được phân cực thì có sẵn kênh dẫn b) không có sẵn kênh dẫn c) miền nghèo làm nghẹt kênh dẫn d) tích lũy hạt dẫn thiểu số e) 4 ĐS trên đều sai Câu 39: Xét tụ MOS của N-EMOS được phân cực: VFB < VGS < VTN, khi đó tụ MOS ở chế độ bão hòa b) tích lũy lổ c) nghèo d) đảo ngược e) 4 ĐS trên đều sai Câu 40: Để có thể điều khiển dòng điện từ S sang D, người ta sử dụng tụ MOS ở chế độ bão hòa b) tích lũy lổ c) nghèo d) đảo ngược e) 4 ĐS trên đều sai Câu 41: Xét N-EMOS ở miền bão hòa, khi nhiệt độ tăng thì dòng ID Tăng b) tăng gấp đôi c) giảm d) giảm gấp đôi e) 4 ĐS trên đều sai Câu 42:Xét N-EMOS ở miền bão hòa, khi giảm VDS thì dòng IC giảm b) giảm gấp đôi c) tăng d) tăng gấp đôi e) 4 ĐS trên đều sai Câu 43: Trong các dụng cụ sau, dụng cụ nào có điện trở vào lớn nhất a) BJT NPN b) BJT PNP c) JFET d) MOSFET e) 4 ĐS trên đều sai Câu 44: P-EMOS có VTP = -0.5V, nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S so với đất là: VD=2V, VG=1V, và VS= 3V trong mạch thì P-EMOS hoạt động ở miền Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Đánh thủng e) 4 ĐS trên đều sai Câu 45: Dùng N-EMOS làm điện trở, nếu W/L tăng gấp đôi và VGS,mới=2VGS,cũ=3VTN thì RDS,mới/RDS, cũ= 1/10 b) 1/8 c) 1/6 d) 1/4 e) 4 ĐS trên đều sai Câu 46:Với mạch như hình vẽ: RL=1KW, để JFET được phân cực ở miền bão hòa thì VDD tối thiểu bằng 12 V 13 V 14 V 15 V 4 ĐS trên đều sai Câu 47:Với mạch như hình: R1=150KW, R2=50KW, RD=RS=2KW, IDSS=4mA, Vp= –2V và VDD=12V; JFET này làm việc với điểm tĩnh (VGSQ, IDQ) (-0.82V; 1.6mA) (-0.75V; 1.64mA) c) (-0.70V; 1.7mA) d) (-0.65V; 1.8mA) e) 4 ĐS trên đều sai Câu 48:Cùng số liệu với câu trên thì JFET trong mạch này có tần số cắt fT là (biết Cgs=20pF và Cgd=5pF) 17.08MHz 19.17MHz 21.34MHz d) 25.75MHz e) 4 ĐS trên đều sai Câu 49:Với hình a dùng JFET có đặc tuyến truyền đạt ở hình b, để JFET vẫn còn hoạt động như nguồn dòng ó trị số 1mA thì điện trở R và VDDmin là (R;VDDmin) a) (700W; 2.2V) b) (800W; 2V) c) (900W; 1.8V) d) (1KW; 1.6V) e) 4 ĐS trên đều sai Câu 50: Hình vẽ với N-EMOS có =1000mA/V2, VTN=0.7V, VG=5V và VD=0.2V. Mạch cho dòng điện I = 840 mA I = 800 mA I = 760 mA d) I = 720 mA e) 4 ĐS trên đều sai Câu 51: Với mạch như hình, giả sử λ=0, VTN=0.5V, = 2mA/V2, M1 vẫn ở miền bão hòa khi W/L có trị số a) > 4.5 b) £ 1.3 c) £ 5.2 d) £ 4.8 e) 4 ĐS trên đều sai Câu 52: Hình vẽ là mạch gương dòng điện với M1 và M2 có các tham số: ; VTN,M1=VTN,M2; lM1=lM2=0. Muốn có Ix=3Ibias thì (W/L)M2/(W/L)M1 bằng 4 b) 6 c) 3/2 d) 2/3 e) 4 ĐS trên đều sai Mạch ở hình 4 có R1=800KW, R2=500KW, RD=4KW, RS=1KW và dùng N-EMOS có VTN=1V, 34 GOOD LUCK! =2mA/V2 , và VA=150V. MOSFET này có gm (khi tính IDQ cho l=0) và điện trở ra ro là (gm; ro)
File đính kèm:
on_tap_dung_cu_ban_dan.docx
