Khí cụ điện - Phần I: Lý thuyết (Phần tiếp theo)
∗ Hệ số phẩm chất của mạch đầu vào:
Qi = ω0RiCb = 6,28.107.1171,4.510.10-12 = 37,5
∗ Nếu ở đầu vào mắc trực tiếp vào Base, khi đó điện dung ký sinh rất lớn (C’b = 5,55nF) >>
Cb, nên mạch làm việc không ổn định và khi đó Zi rất nhỏ (Zi = Rtđb//rb’e = 150Ω) nên Qi =
ω0RiCb = 6,28.107.150.510.10-12 = 4,8 << Q01 = 50)
∗ Do trở kháng vào của Transistor rất nhỏ, nên cách mắc như bài 2.8 được sử dụng rất nhiều.
Mặt khác tầng KĐCSCT là tầng cuối cùng nên đứng trước nó sẽ là tầng tiền KĐCSCT,
nghĩa là Lb, C’b của tầng KĐCSCT chính là LC, CC của tầng tiền KĐCSCT trước đó
06-104 ω 106+104 106 VAM 3,5 10 0 Trang 62 5. mW50 0.2 )10( R2 V P 3 2 L 2 0 0 ===ω 6. mW25,12 2 49,0 10.5 2 m .PP 2 2 0bt === − ω 7. Công suất điều biên: PAM = Pω0 + Pbt = 50 + 12,25 = 62,25mW 8. PAMmax = Pω0(1 + m) 2 = 5.10-2(1 + 0,7)2 = 144,5mW < PCmax. 9. %20 1 5,0 2 1 1 m 2 1 k 2 = + = + = 10. Kiểm tra: Vω0 + VΩ = 10 + 7 = 17V < BVCEO = 40V 11. Biên độ hài bậc nhất: mA10 10 10 R V R V I 3 L 0 L 1Cm 1Cm ==== (chú ý RL = Rtđ) 12. H18,3 .4,31 10 50.10.28,6 10 Qf2 R L 4 6 3 00 L µ=== pi = − 13. nF97,7 4,125 10 10.18,3.10.86,9.4 1 Lf4 1 C 6 6122 0 2 === pi = − − 14. Biên độ dòng kích vào: mA2,0 100.5,0 10 h).( I I 2 fe1 1Cm bm ==θγ = − 15. mA610.2x100x3,0I.).(I 4bm0CO ==βθγ= − Ω=== − −− 583 10.6 10.25 .100.4,1 I 10.25 h.4,1r 3 3 CQ 3 fee'b 16. V117,0583.10.2r.IV 4e'bbmbm === − II. Điều tần Varicap Bài 4.6: Điều tần dùng Varicap đơn f0 = 100MHz; ∆f = ±75KHz; Q0 = 50; L = 0,1µH; Transistor như bài 2-1 1. MHz5,3 100 10.350 h f f 6 fe T ===β f0 = 100MHz > 3fβ = 10,5MHz R1 L C Lch VΩ C +VCC R2 RE C2 C1 C Trang 63 Suy ra sơ đồ hoạt động ở tần số cao, nên phải chuyển sang dùng mạch dao động B.C như hình vẽ 2. 21 21 9 7162 0 2tđ CC C.C pF35,25 44,39 10 10.10.86,9.4 1 Lf4 1 C + ==== pi = − − Chọn C1 = 30pF ⇒ pF5,163 10)35,2530( 10.35,25.10.3 CC xCC C 12 1211 tđ1 tđ1 2 =− = − = − −− 3. Hệ số hồi tiếp: n155,0 10.5,16310.30 10.30 CC C C CC CC V V 1212 12 21 1 2 21 21 BC BE +=+= + = + = + ==β −− − 4. Hệ số ghép Transistor với khung cộng hưởng: 1 V V V V p CB CB k CB === 5. Ở tần số thấp nên: h21b ≈ 1; Ω=== 10 50 500 h h h fe e11 b11 6. Rtđ = ω0LQ0 = 6,28.10 8.10-7.50 = 3140Ω 7. Hệ số khuếch đại khi mắc B.C: [ ] 8,36416//3140.1 10 1 n h //Rp h h SZA 2 2 b11 K 2 b11 b21 C ≈≈ == 8. Điều kiện biên độ để mạch tự kích: độngdaomạch17,5155,0x37n.|A|||.|A| →>>===β 9. Chọn Vpc = 5V; n = ½; ϕ = 0,7V; Suy ra ta có: 38 pc21 1 0 10.7557,0 V . 5,16330 5,163 .10. 2 1 . 2 1 V V . CC C .nf 2 1 f = ++ = +ψ+ =∆ ΩΩ suy ra 3 8 10.75V 8,4411 5,163.10 f ==∆ Ω suy ra VΩ = 20mV 10. f1 = f0 - ∆f = 99,925MHz; f2 = f0 + ∆f = 100,075MHz; pF39,25 9381,3 10 10.10.9985.86,9.4 1 Lf4 1 C 10 7122 1 21tđ === pi = − − L C B RE C2 C1 E Trang 64 pF317,25 9499,3 10 10.10.10015.86,9.4 1 Lf4 1 C 10 7122 2 22tđ === pi = − − pF06,30 10.11,138 10.39,25.10.5,163 CC xCC C 12 1212 1tđ2 1tđ2 11 ==− = − −− pF955,29 10.183,138 10.317,25.10.5,163 CC xCC C 12 1212 2tđ2 2tđ2 12 ==− = − −− Bài 4.7: Điều tần dùng Varicap đẩy kéo 1. Bước 1 và 2 như trên 2. pF35,25 CC xCC CC xCC C 21 21 20v10v 20v10v tđ =+ + + = Chọn pF10 CC xCC CpF20CC 20v10v 20v10v 0v20v10v =+ =⇒== Suy ra pF35,15 CC CC C 21 21 3 =+ = 3. Hệ số hồi tiếp: vì sơ đồ mắc B.C nên ta chọn n = 0,1 21212 21 2 1 21 21 BC BE C9CC1,0C1,0C 1,0n CC C C CC CC V V =⇒+=⇒ == + = + ==β 30,06pF 29,96pF CV0 = 30pF = C1 C V(<0) 0 5 V R1 CV1 Ra VFM +VCC R2 L C VR RE C2 C1 R CV2 - Trang 65 pF35,15 1C9C C9C CC CC C 1 11 21 21 3 =+ = + = ⇒ 9C1 = 153,5pF = C2 ⇒ C1 = 17pF 4. Các bước 4, 5, 6 như trên 7. 5,60 01,0 10 //3140.1 10 1 n h //Rp h h SZA 2 2 b11 K 2 b11 b21 C ≈ ≈ == 8. Điều kiện biên độ để mạch dao động tự kích: độngdaomạch16,81,0x26,86||.|A| →>>==β 9. Chọn Vpc = 5V; n = ½; ϕ = 0,7V 38 pc30v 0v 0 10.7557,0 V . 35,1510 10 .10. 2 1 . 2 1 V V . CC C .nf 2 1 f = ++ = +ψ+ =∆ ΩΩ suy ra 3 9 10.75V 578 10 f ==∆ Ω suy ra VΩ = 43,4mV 10. Bước 10 như trên ta có: Ctđ1 = 25,39pF; Ctđ2 = 25,317pF Suy ra: Cv01 = Ctđ1 – C3 = 10,04pF; Cv02 = Ctđ2 – C3 = 9,967pF Trang 66 Chương 6: MÁY PHÁT I. KĐCSCT + mạch ghép đầu vào và đầu ra Thiết kế bộ KĐCSCT như hình vẽ có f0 = 10MHz. Transistor có các thông số fT = 350MHz; hfe = 100; Cb’c = 1pF; Cb’e = 1000pF; PCmax = 10W; VCEmax = 40V; max iC = 1A. Các bước thiết kế: 1. MHz5,3 100 10.350 h f f 6 fe T ===β f0 = 10MHz < 3fβ = 10,5MHz Suy ra sơ đồ hoạt động ở tần số trung bình 2. Chọn VCC = 0,5VCEmax = 0,5x40 =20V 3. Chọn ξ = 0,9 4. Biên độ hài bậc nhất: PCm1 = ξ.VCC = 0,9x20 = 18V. 5. Công suất hài bậc nhất: W5,2 8,0 2P P 2 A 1L ==η = 6. Biên độ hài bậc nhất của dòng điện ra: mA278 18 5,2x2 V P2 I 1Cm 1L 1Cm === A1imaxmA556278x2I2 C1Cm =<==⇒ 7. Điện trở cộng hưởng tương đương ở mạch ra Ω≈== 65 278,0 18 I V R 1Cm 1Cm 1tđ Rtđ1 chính là trở kháng vào của mạch ghép đầu ra. 8. Mạch ghép đầu ra: Ω=== 8,69xRRxRRR AtđLi Ω≈ + = + = 27 5 8,6965 Q RR X tđ i 2C pF590 27.10.28,6 1 Xf2 1 C 7 2C0 2 ≈=pi = Ω≈ + = + = 29 5 8,6975 Q RR X tđ L 3C pF550 29.10.28,6 1 C 73 ≈= Lch + VBB - + VCC - - L2 Rb L1 C2 Cng C1 Ri = 50Ω Pi = ? Lch Cng C3 PA = 2W RA = 75Ω η1=0,7 Qtđ1=5 θ=90 0 η1=0,7 Qtđ2=5 Trang 67 ( ) pF5721CCCCC 1 * c'b ' 2 * c'b ' 2 ' 2 = θγβ+−=−= Ω=+=+= 662927XXX 3C2C2L H1 10.28,6 66 f2 X L 7 0 2L µ≈= pi = 9. Hệ số khuếch đại ở tần số trung bình 33 027,3 100 10.5,3 10 1 100 1 h h 2 6 72 0 fe . fe . ≈= + = ω ω + ==β β 10. Thành phần trung bình DC của dòng ra mA178278x 5,0 32,0 I. )( )( I 1Cm 1 0 CO ==θγ θγ = 11. Công suất nguồn cung cấp PCC = ICO.VCC = 0,178.20 = 3,56W 12. Hiệu suất của mạch KĐCSCT %22,70 56,3 5,2 P P CC L ===η 13. Trở kháng vào [ ] [ ] [ ] 'b*12 12697 1Lc'bTe'b 1 iEC Cj 1 8j87,7j 35,6j 50 0114,0110.28,6j 5,0 5,0.6510.10.3501.10.10.28,6.j 5,0 )(ZC1Cj )( Z ω =Ω−≈Ω−== + = + = θγω+ω θ−piγ = − −− )CCC(nF023,2 87,7.10.28,6 1 C *M * e'b'b * 7'b * +===⇒ 14. Trở kháng vào của Transistor ở tần số trung bình Ω≈== −− 5,6 178,0 10.25 ..33.4,1 I 10.25 h.4,1r 3 CO 3. fee'b 15. Mạch ghép đầu vào: Để sự truyền đạt công suất lớn nhất và đáp tuyến tần số bằng phẳng nhất ta thiết kế sao cho Qi = Q0 = 2Qtđ. Ω==== 65,0 10 5,6 Q2 r Q R X tđ e'b 0 L C nF5,24 65,0.10.28,6 1 Xf2 1 C 7 C0 ' 1 ≈=pi = Mặt khác: nF5,22023,25,24CCCCCC * 'b ' 11 * b1 ' 1 ≈−=−=⇒+= L2 C2 Ri = Rtđ = 65Ω C3 RA = RL = 75Ω Trang 68 Ω==== 50050x5x2RQ2RQX itđii2L H8 10.28,6 500 f2 X L 7 0 L 1 µ≈=pi = 16. e'b * 'b0 e'b e'biEC ' iEC r.Cj1 r r//ZZ ω+ == Ω== + = ω+ = − 5 3,1 5,6 25,42.1010.092,4.86,9.41 5,6 rC1 r Z 1418 2 e'b 2* 'b 2 0 e'b' iEC 17. Công suất đầu ra của Transistor mW75,010.5,75.10.3. 2 1 5. 533,0 278,0 2 1 Z I 2 1 ZI 2 1 P 44 2 i 2 1 1Cm i 2' nb === = βγ == −− 18. Công suất đầu vào của tầng KĐCSCT mW07,1 7,0 10.75,0P P 3 1 b i ==η = − II. KĐCSCT + điều biên Thiết kế mạch điều biên Collector có giả thiết như bài trên biết m = 0,7 và f0 = 10MHz; fΩ = 10KHz. Để đơn giản ta không tính mạch vào 1 ÷ 4 như bài trên: VCm1 = 18V = V0 5. Công suất điều biên: W5,2 8,0 2P P 2 A AM ==η = Công suất hài bậc nhất: += ω 2 m 1PP 2 0AM L1 C'1 Ri = 50Ω Qtđ1 = 5 rb’e Cb’ +VCC L1 + VBB - Rb KĐCSÂT Lb C1 Cng Cng Lch C2 RA = 75Ω PA = 2W Trang 69 W2 2 49,0 1 5,2 2 m 1 P PP 2 AM 1L0 = + = + ==⇒ ω 6. Biên độ hài bậc nhất của dòng điện ra mA187 18 2x2 V P2 I 1Cm 1L 1Cm === 7. )(25,96 187,0 18 I V R 1Cm 1Cm 1tđ Ω=== Rtđ1 chính là trở kháng vào của mạch lọc pi ở đầu ra 8. Mạch lọc đầu ra Ω≈== 8575x25,96xRRR Li Ω≈ + = + = 2,36 5 8596 Q RR X tđ i 1C nF44,0 2,36.10.28,6 1 Xf2 1 C 7 1C0 1 ==pi = Ω= + = + = 32 5 8575 Q RR X tđ L 2C nF5,0 32.10.28,6 1 C 72 == ( ) [ ] pF5,175,0.331101CC 121 * c'b * c'b =+= θγβ+= − pF5,4225,17440C '1 =−= Ω=+=+= 2,68322,36XXX 2C1C1L H1,1H10.86,10 10.28,6 2,68 f2 X L 7 7 0 1L 1 µ≈≈=pi = − 9. Như trên 33 * =β 10. A12,0187,0x 5,0 32,0 I. )( )( I 1Cm 1 0 CO ≈=θγ θγ = 11. PCC = ICO.VCC = 0,12.20 = 2,4W 12. %70 4,2 68,1 P P CC 1L ≈==η 13. Như trên )25,96Zvới(83,7jZ LiEC Ω=Ω−≈ 14. Ω≈== −− 625,9 12,0 10.25 ..33.4,1 I 10.25 h.4,1r 3 CO 3. fee'b L1 C1 Rtđ1 = Ri = 96Ω C2 RA = RL = 75Ω Trang 70 15. 2 e'b 2* 'b 2 0 e'b' iEC rC1 r Z ω+ = Ω≈= + = − 6 587,1 625,9 64,92.10.16,4.10.86,9.41 625,9 1814 16. Công suất đầu vào mW4,06. 33.5,0 187,0 2 1 Z I 2 1 ZI 2 1 P 2 i 2 11 1Cm i 2' nb ≈ = βγ == 17. Biên độ điện áp âm tần VΩ = mV0 = 0,7x18 = 12,6V ⇒ khi đó: VΩ(t) = 12,6cos(2pi.10 4t) 18. Phổ của tín hiệu âm tần t)1010(2cos3,6t)1010(2cos3,6)t10.2cos(18 t)cos( 2 mV t)cos( 2 mV tcosVV 47477 0 0 0 0 00AM −pi++pi+pi= Ω−ω+Ω+ω+ω= 19. W41,0 2 49,0 68,1 2 m .PP 2 0bt === ω 20. %4,16 5,2 41,0 P P k AM bt === 21. Kiểm tra: Vω0 + VΩ = 18 + 12,6 = 30,6V < BVCEO = 40V PAMmax = Pω0(1 + m) 2 = 1,68(1 + 0,7)2 = 4,85W< PCmax = 10W (Chú ý: các bước 9 ÷ 16 có thể không phải tính khi thi). 107-104 f 107+104 107 VAM 6,3 18 0
File đính kèm:
- khi_cu_dien_phan_i_ly_thuyet_phan_tiep_theo.pdf