Khí cụ điện - Phần I: Lý thuyết (Phần tiếp theo)

Hệ số phẩm chất của mạch đầu vào:

Qi = ω0RiCb = 6,28.107.1171,4.510.10-12 = 37,5

Nếu ở đầu vào mắc trực tiếp vào Base, khi đó điện dung ký sinh rất lớn (C’b = 5,55nF) >>

Cb, nên mạch làm việc không ổn định và khi đó Zi rất nhỏ (Zi = Rtđb//rb’e = 150Ω) nên Qi =

ω0RiCb = 6,28.107.150.510.10-12 = 4,8 << Q01 = 50)

Do trở kháng vào của Transistor rất nhỏ, nên cách mắc như bài 2.8 được sử dụng rất nhiều.

Mặt khác tầng KĐCSCT là tầng cuối cùng nên đứng trước nó sẽ là tầng tiền KĐCSCT,

nghĩa là Lb, C’b của tầng KĐCSCT chính là LC, CC của tầng tiền KĐCSCT trước đó

 

pdf35 trang | Chuyên mục: Khí Cụ Điện | Chia sẻ: tuando | Lượt xem: 523 | Lượt tải: 0download
Tóm tắt nội dung Khí cụ điện - Phần I: Lý thuyết (Phần tiếp theo), để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút "TẢI VỀ" ở trên
06-104 
ω 
106+104 106 
VAM 
3,5 
10 
0 
 Trang 62 
5. mW50
0.2
)10(
R2
V
P
3
2
L
2
0
0 ===ω 
6. mW25,12
2
49,0
10.5
2
m
.PP 2
2
0bt ===
−
ω 
7. Công suất điều biên: 
PAM = Pω0 + Pbt = 50 + 12,25 = 62,25mW 
8. PAMmax = Pω0(1 + m)
2 = 5.10-2(1 + 0,7)2 = 144,5mW < PCmax. 
9. %20
1
5,0
2
1
1
m
2
1
k
2
=
+
=
+
= 
10. Kiểm tra: Vω0 + VΩ = 10 + 7 = 17V < BVCEO = 40V 
11. Biên độ hài bậc nhất: 
mA10
10
10
R
V
R
V
I
3
L
0
L
1Cm
1Cm ==== (chú ý RL = Rtđ) 
12. H18,3
.4,31
10
50.10.28,6
10
Qf2
R
L
4
6
3
00
L µ===
pi
=
−
13. nF97,7
4,125
10
10.18,3.10.86,9.4
1
Lf4
1
C
6
6122
0
2
===
pi
=
−
−
14. Biên độ dòng kích vào: 
mA2,0
100.5,0
10
h).(
I
I
2
fe1
1Cm
bm ==θγ
=
−
15. mA610.2x100x3,0I.).(I 4bm0CO ==βθγ=
− 
Ω===
−
−−
583
10.6
10.25
.100.4,1
I
10.25
h.4,1r
3
3
CQ
3
fee'b 
16. V117,0583.10.2r.IV 4e'bbmbm ===
− 
II. Điều tần Varicap 
Bài 4.6: Điều tần dùng Varicap đơn 
f0 = 100MHz; ∆f = ±75KHz; Q0 = 50; L = 0,1µH; 
Transistor như bài 2-1 
1. MHz5,3
100
10.350
h
f
f
6
fe
T ===β 
f0 = 100MHz > 3fβ = 10,5MHz 
R1 
L 
C 
Lch 
VΩ 
C 
+VCC 
R2 
RE C2 
C1 
C 
 Trang 63 
Suy ra sơ đồ hoạt động ở tần số cao, nên phải chuyển sang dùng mạch dao động B.C như 
hình vẽ 
2. 
21
21
9
7162
0
2tđ CC
C.C
pF35,25
44,39
10
10.10.86,9.4
1
Lf4
1
C
+
====
pi
=
−
−
Chọn C1 = 30pF ⇒ 
pF5,163
10)35,2530(
10.35,25.10.3
CC
xCC
C
12
1211
tđ1
tđ1
2 =−
=
−
=
−
−−
3. Hệ số hồi tiếp: 
n155,0
10.5,16310.30
10.30
CC
C
C
CC
CC
V
V
1212
12
21
1
2
21
21
BC
BE +=+=
+
=
+
=
+
==β
−−
−
4. Hệ số ghép Transistor với khung cộng hưởng: 
1
V
V
V
V
p
CB
CB
k
CB === 
5. Ở tần số thấp nên: h21b ≈ 1; Ω=== 10
50
500
h
h
h
fe
e11
b11 
6. Rtđ = ω0LQ0 = 6,28.10
8.10-7.50 = 3140Ω 
7. Hệ số khuếch đại khi mắc B.C: 
[ ] 8,36416//3140.1
10
1
n
h
//Rp
h
h
SZA 2
2
b11
K
2
b11
b21
C ≈≈



== 
8. Điều kiện biên độ để mạch tự kích: 
độngdaomạch17,5155,0x37n.|A|||.|A| →>>===β 
9. Chọn Vpc = 5V; n = ½; ϕ = 0,7V; Suy ra ta có: 
38
pc21
1
0 10.7557,0
V
.
5,16330
5,163
.10.
2
1
.
2
1
V
V
.
CC
C
.nf
2
1
f =
++
=
+ψ+
=∆ ΩΩ suy ra 
3
8
10.75V
8,4411
5,163.10
f ==∆ Ω suy ra VΩ = 20mV 
10. f1 = f0 - ∆f = 99,925MHz; 
f2 = f0 + ∆f = 100,075MHz; 
pF39,25
9381,3
10
10.10.9985.86,9.4
1
Lf4
1
C
10
7122
1
21tđ
===
pi
=
−
−
L 
C 
B 
RE C2 
C1 
E 
 Trang 64 
pF317,25
9499,3
10
10.10.10015.86,9.4
1
Lf4
1
C
10
7122
2
22tđ
===
pi
=
−
−
pF06,30
10.11,138
10.39,25.10.5,163
CC
xCC
C
12
1212
1tđ2
1tđ2
11 ==−
=
−
−−
pF955,29
10.183,138
10.317,25.10.5,163
CC
xCC
C
12
1212
2tđ2
2tđ2
12 ==−
=
−
−−
Bài 4.7: Điều tần dùng Varicap đẩy kéo 
1. Bước 1 và 2 như trên 
2. pF35,25
CC
xCC
CC
xCC
C
21
21
20v10v
20v10v
tđ =+
+
+
= 
Chọn pF10
CC
xCC
CpF20CC
20v10v
20v10v
0v20v10v =+
=⇒== 
Suy ra pF35,15
CC
CC
C
21
21
3 =+
= 
3. Hệ số hồi tiếp: vì sơ đồ mắc B.C nên ta chọn n = 0,1 
21212
21
2
1
21
21
BC
BE
C9CC1,0C1,0C
1,0n
CC
C
C
CC
CC
V
V
=⇒+=⇒
==
+
=
+
==β 
30,06pF 
29,96pF 
CV0 = 30pF = C1 
C 
V(<0) 0 5 
V 
R1 
CV1 Ra VFM 
+VCC 
R2 
L 
C 
VR 
RE 
C2 
C1 
R 
CV2 
- 
 Trang 65 
pF35,15
1C9C
C9C
CC
CC
C
1
11
21
21
3 =+
=
+
= 
⇒ 9C1 = 153,5pF = C2 
⇒ C1 = 17pF 
4. Các bước 4, 5, 6 như trên 
7. 5,60
01,0
10
//3140.1
10
1
n
h
//Rp
h
h
SZA 2
2
b11
K
2
b11
b21
C ≈


≈



== 
8. Điều kiện biên độ để mạch dao động tự kích: 
độngdaomạch16,81,0x26,86||.|A| →>>==β 
9. Chọn Vpc = 5V; n = ½; ϕ = 0,7V 
38
pc30v
0v
0 10.7557,0
V
.
35,1510
10
.10.
2
1
.
2
1
V
V
.
CC
C
.nf
2
1
f =
++
=
+ψ+
=∆ ΩΩ suy ra 
3
9
10.75V
578
10
f ==∆ Ω suy ra VΩ = 43,4mV 
10. Bước 10 như trên ta có: 
Ctđ1 = 25,39pF; Ctđ2 = 25,317pF 
Suy ra: Cv01 = Ctđ1 – C3 = 10,04pF; Cv02 = Ctđ2 – C3 = 9,967pF 
 Trang 66 
Chương 6: MÁY PHÁT 
I. KĐCSCT + mạch ghép đầu vào và đầu ra 
Thiết kế bộ KĐCSCT như hình vẽ có f0 = 10MHz. Transistor có các thông số fT = 350MHz; hfe 
= 100; Cb’c = 1pF; Cb’e = 1000pF; PCmax = 10W; VCEmax = 40V; max iC = 1A. 
Các bước thiết kế: 
1. MHz5,3
100
10.350
h
f
f
6
fe
T ===β 
f0 = 10MHz < 3fβ = 10,5MHz 
Suy ra sơ đồ hoạt động ở tần số trung bình 
2. Chọn VCC = 0,5VCEmax = 0,5x40 =20V 
3. Chọn ξ = 0,9 
4. Biên độ hài bậc nhất: PCm1 = ξ.VCC = 0,9x20 = 18V. 
5. Công suất hài bậc nhất: W5,2
8,0
2P
P
2
A
1L ==η
= 
6. Biên độ hài bậc nhất của dòng điện ra: 
mA278
18
5,2x2
V
P2
I
1Cm
1L
1Cm === 
A1imaxmA556278x2I2 C1Cm =<==⇒ 
7. Điện trở cộng hưởng tương đương ở mạch ra 
Ω≈== 65
278,0
18
I
V
R
1Cm
1Cm
1tđ 
Rtđ1 chính là trở kháng vào của mạch ghép đầu ra. 
8. Mạch ghép đầu ra: 
Ω=== 8,69xRRxRRR AtđLi 
Ω≈
+
=
+
= 27
5
8,6965
Q
RR
X
tđ
i
2C 
pF590
27.10.28,6
1
Xf2
1
C
7
2C0
2 ≈=pi
= 
Ω≈
+
=
+
= 29
5
8,6975
Q
RR
X
tđ
L
3C 
pF550
29.10.28,6
1
C
73
≈= 
Lch 
+ 
VBB - 
+ 
VCC 
- 
- 
L2 
Rb 
L1 
C2 
Cng 
C1 
Ri = 50Ω 
Pi = ? 
Lch 
Cng 
C3 
PA = 2W 
RA = 75Ω 
η1=0,7 Qtđ1=5 θ=90
0 η1=0,7 Qtđ2=5 
 Trang 67 
( ) pF5721CCCCC 1
*
c'b
'
2
*
c'b
'
2
'
2 =





θγβ+−=−= 
Ω=+=+= 662927XXX 3C2C2L 
H1
10.28,6
66
f2
X
L
7
0
2L µ≈=
pi
= 
9. Hệ số khuếch đại ở tần số trung bình 
33
027,3
100
10.5,3
10
1
100
1
h
h
2
6
72
0
fe
.
fe
.
≈=






+
=








ω
ω
+
==β
β
10. Thành phần trung bình DC của dòng ra 
mA178278x
5,0
32,0
I.
)(
)(
I 1Cm
1
0
CO ==θγ
θγ
= 
11. Công suất nguồn cung cấp 
PCC = ICO.VCC = 0,178.20 = 3,56W 
12. Hiệu suất của mạch KĐCSCT 
%22,70
56,3
5,2
P
P
CC
L ===η 
13. Trở kháng vào 
[ ]
[ ]
[ ] 'b*12
12697
1Lc'bTe'b
1
iEC
Cj
1
8j87,7j
35,6j
50
0114,0110.28,6j
5,0
5,0.6510.10.3501.10.10.28,6.j
5,0
)(ZC1Cj
)(
Z
ω
=Ω−≈Ω−==
+
=
+
=
θγω+ω
θ−piγ
=
−
−−
)CCC(nF023,2
87,7.10.28,6
1
C *M
*
e'b'b
*
7'b
* +===⇒ 
14. Trở kháng vào của Transistor ở tần số trung bình 
Ω≈==
−−
5,6
178,0
10.25
..33.4,1
I
10.25
h.4,1r
3
CO
3.
fee'b 
15. Mạch ghép đầu vào: Để sự truyền đạt công suất lớn nhất và đáp tuyến tần số bằng phẳng 
nhất ta thiết kế sao cho Qi = Q0 = 2Qtđ. 
Ω==== 65,0
10
5,6
Q2
r
Q
R
X
tđ
e'b
0
L
C 
nF5,24
65,0.10.28,6
1
Xf2
1
C
7
C0
'
1 ≈=pi
= 
Mặt khác: 
nF5,22023,25,24CCCCCC * 'b
'
11
*
b1
'
1 ≈−=−=⇒+= 
L2 
C2 
Ri = Rtđ = 65Ω 
 C3 
RA = RL = 75Ω 
 Trang 68 
Ω==== 50050x5x2RQ2RQX itđii2L 
H8
10.28,6
500
f2
X
L
7
0
L
1 µ≈=pi
= 
16. 
e'b
*
'b0
e'b
e'biEC
'
iEC r.Cj1
r
r//ZZ
ω+
== 
Ω==
+
=
ω+
=
−
5
3,1
5,6
25,42.1010.092,4.86,9.41
5,6
rC1
r
Z
1418
2
e'b
2*
'b
2
0
e'b'
iEC
17. Công suất đầu ra của Transistor 
mW75,010.5,75.10.3.
2
1
5.
533,0
278,0
2
1
Z
I
2
1
ZI
2
1
P
44
2
i
2
1
1Cm
i
2'
nb
===





=







βγ
==
−−
18. Công suất đầu vào của tầng KĐCSCT 
mW07,1
7,0
10.75,0P
P
3
1
b
i ==η
=
−
II. KĐCSCT + điều biên 
Thiết kế mạch điều biên Collector có giả thiết như bài trên biết m = 0,7 và f0 = 10MHz; fΩ = 
10KHz. Để đơn giản ta không tính mạch vào 
1 ÷ 4 như bài trên: VCm1 = 18V = V0 
5. Công suất điều biên: 
W5,2
8,0
2P
P
2
A
AM ==η
= 
Công suất hài bậc nhất: 





+= ω 2
m
1PP
2
0AM 
L1 
C'1 
Ri = 50Ω 
Qtđ1 = 5 
rb’e Cb’ 
+VCC 
L1 
+ 
VBB - 
Rb KĐCSÂT 
Lb 
C1 
Cng 
Cng 
Lch 
C2 
RA = 75Ω 
PA = 2W 
 Trang 69 
W2
2
49,0
1
5,2
2
m
1
P
PP
2
AM
1L0 =
+
=






+
==⇒ ω 
6. Biên độ hài bậc nhất của dòng điện ra 
mA187
18
2x2
V
P2
I
1Cm
1L
1Cm === 
7. )(25,96
187,0
18
I
V
R
1Cm
1Cm
1tđ Ω=== 
Rtđ1 chính là trở kháng vào của mạch lọc pi ở đầu ra 
8. Mạch lọc đầu ra 
Ω≈== 8575x25,96xRRR Li 
Ω≈
+
=
+
= 2,36
5
8596
Q
RR
X
tđ
i
1C 
nF44,0
2,36.10.28,6
1
Xf2
1
C
7
1C0
1 ==pi
= 
Ω=
+
=
+
= 32
5
8575
Q
RR
X
tđ
L
2C 
nF5,0
32.10.28,6
1
C
72
== 
( ) [ ] pF5,175,0.331101CC 121
*
c'b
*
c'b =+=





θγβ+= − 
pF5,4225,17440C '1 =−= 
Ω=+=+= 2,68322,36XXX 2C1C1L 
H1,1H10.86,10
10.28,6
2,68
f2
X
L 7
7
0
1L
1 µ≈≈=pi
= − 
9. Như trên 33
*
=β 
10. A12,0187,0x
5,0
32,0
I.
)(
)(
I 1Cm
1
0
CO ≈=θγ
θγ
= 
11. PCC = ICO.VCC = 0,12.20 = 2,4W 
12. %70
4,2
68,1
P
P
CC
1L ≈==η 
13. Như trên )25,96Zvới(83,7jZ LiEC Ω=Ω−≈ 
14. Ω≈==
−−
625,9
12,0
10.25
..33.4,1
I
10.25
h.4,1r
3
CO
3.
fee'b 
L1 
C1 
Rtđ1 = Ri = 96Ω 
 C2 
RA = RL = 75Ω 
 Trang 70 
15. 
2
e'b
2*
'b
2
0
e'b'
iEC
rC1
r
Z
ω+
= 
Ω≈=
+
=
−
6
587,1
625,9
64,92.10.16,4.10.86,9.41
625,9
1814
16. Công suất đầu vào 
mW4,06.
33.5,0
187,0
2
1
Z
I
2
1
ZI
2
1
P
2
i
2
11
1Cm
i
2'
nb ≈




=







βγ
== 
17. Biên độ điện áp âm tần VΩ = mV0 = 0,7x18 = 12,6V 
⇒ khi đó: VΩ(t) = 12,6cos(2pi.10
4t) 
18. Phổ của tín hiệu âm tần 
t)1010(2cos3,6t)1010(2cos3,6)t10.2cos(18
t)cos(
2
mV
t)cos(
2
mV
tcosVV
47477
0
0
0
0
00AM
−pi++pi+pi=
Ω−ω+Ω+ω+ω= 
19. W41,0
2
49,0
68,1
2
m
.PP
2
0bt === ω 
20. %4,16
5,2
41,0
P
P
k
AM
bt === 
21. Kiểm tra: Vω0 + VΩ = 18 + 12,6 = 30,6V < BVCEO = 40V 
PAMmax = Pω0(1 + m)
2 = 1,68(1 + 0,7)2 = 4,85W< PCmax = 10W 
(Chú ý: các bước 9 ÷ 16 có thể không phải tính khi thi). 
107-104 f 107+104 107 
VAM 
6,3 
18 
0 

File đính kèm:

  • pdfkhi_cu_dien_phan_i_ly_thuyet_phan_tiep_theo.pdf