Giáo trình Mạch điện tử 1 - Chương 5: Mạch transistor ghép liên tầng
5.1 Giới thiệu
5.2 Ghép Cascade các mạch khuếch đại
5.3 Mạch khuếch đại vi sai (difference amplifier)
5.4 Cấu hình Darlington
5.5 Mạch khuếch đại ghép Casco
Tóm tắt nội dung Giáo trình Mạch điện tử 1 - Chương 5: Mạch transistor ghép liên tầng, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút "TẢI VỀ" ở trên
VE2 = (1.17mA)(1.8K + 0.6K) = 2.8V VC1 = VB2 = VBE + VE2 = 0.7 + 2.8 = 3.5V = VCE1 IC1 = (9 – 3.5)/2.2K = 2.5 mA x Xác định MaxSwing: Vì tầng 2 mắc CE (Av thường >> 1) MaxSwing = MaxSwing2. Xét tầng 2: RDC = 1.3K + 1.8K + 0.6K = 3.7K Rac = 1.3K Từ DCLL và ACLL của tầng 2 MaxSwing = MaxSwing2 = 1.5V 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 7 x Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: K I Vhh CQ T feie 1 1 11 | ; KI V hh CQ T feie 14.2 2 22 | Suy ra: > @ » ¼ º « ¬ ª »¼ º « ¬ ª uu 1)8.0//6.0( )8.0//6.0( )//8.1//6.0(2.0 1 2.2 2.2100 3.1100 12 1 1 2 2 KhKh K v i i i i v v v A ieiei b b b b L i L v Av = 4000 (| 72dB) Oån định phân cực: Mạch khuếch đại AC: Các tầng độc lập DC: Chương 3 Mạch khuếch đại DC: Big problem !!! Ví dụ 3: Xác định thay đổi của dòng tĩnh gây ra do ảnh hưởng của nhiệt độ lên VBE trong ví dụ 2. x Hồi tiếp: x Xác định độ ổn định: 'IC1 /'T và 'IC2 /'T: VB2 = 9V – 2.2K(IC1 + IB2) = 9 – 2.2K(IC1 + IC2 / hfe2) VE2 = VB2 – VBE2 = 9 – 2.2K(IC1 + IC2 / hfe2) – VBE2 Mặt khác: VE2 = 1.8KuIE2 + VBE1 | 1.8KuIC2 + VBE1 IC2(1.8K + 2.2K / hfe2) = 9 – 2.2KuIC1 – VBE1 – VBE2 Tại B1: IC2 | IE2 = IB1 + VBE1 / 0.6K | IC1 / hfe1 + VBE1 / 0.6K 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 8 IC1(2.2K + 1.8K / hfe1 + 2.2K / (hfe1hfe2)) = 9 - VBE1(1 + 1.8K / 0.6K + 2.2K / (hfe20.6K)) - VBE2 IC1 | K VV BEBE 2.2 49 21 Khi nhiệt độ thay đổi: 'VBE / 'T = -k = -2.5 mV/0C K CmV T IC 2.2 /5.25 01 u ' ' = 5.7 PA/0C Tại B1:IC2 = IC1 / hfe1 + VBE1 / 0.6K K CmV T V KT I hT I BEC fe C 6.0 /5.2 6.0 11 011 1 2 | ' ' ' ' ' ' = -4.2 PA/0C 5.3 Mạch khuếch đại vi sai (difference amplifier) Sử dụng: Phân tích: Giả sử mạch đối xứng, các TST giống nhau, mạch cực B giống nhau 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 9 Phân tích tĩnh điểm: VE1 = VE2 = (IE1 + IE2)Re – VEE = 2IE1Re – VEE = 2IE2Re – VEE Do tính đối xứng, tách thành 2 mạch (Reo 2Re): IEQ1 = IEQ2 = febe EE hRR V /2 7.0 VCEQ1 = VCEQ2 = VCC + VEE – ICQ(Rc + 2Re) Ví dụ 4: Trong mạch trên, cho VCC = VEE = 10V; Rb = 0.2K; Re = 0.9K; Rc = 0.2K; RL = 10:. Tính dao động cực đại dòng tải. Xem 2Re >> Rb / hfe Theo phân tích tĩnh điểm: ICQ = (10 – 0.7) / (2u0.9) = 5.17 mA VCEQ = 10 + 10 – 5.17(0.2 + 2u0.9) = 9.66V DCLL: RDC = Rc + 2Re = 2K ACLL: Rac = Rc // RL | 10: (???) Dựa vào đồ thị: IC2max = 5.17 mA ILmax | 5.17 mA 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 10 Phân tích tín hiệu nhỏ: Phản ánh mạch cực B (nguồn i1 và i2) về cực E: Đặt i0 = (i1 + i2)/2 và 'i = i2 – i1 i1 = i0 – ('i/2) và i2 = i0 + ('i/2) Dùng phương pháp chồng trập cho mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tách thành 2 mode: x Mode chung (common mode): i1 = i2 = i0 Do đối xứng: ie1c = ie2c iRe = 2ie1c = 2ie2c ve = (2Re)ie2c Tách đôi: Reo 2Re ie2c = febibe b hRhR iR /2 0 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 11 x Mode vi sai (differential mode): i2 = - i1 = 'i/2 ie1d = - ie2d iRe = 0 ve = 0. Ngắn mạch Re ie2d = )/(2 febib b hRh iR ' x Chồng trập (superposition): ie2 = ie2c + ie2d = ihRh R i hRhR R febib b febibe b ' )/(2/2 0 iL = 2ie Lc c i RR R = Aci0 + Adid trong đó: Ac = febibe b Lc c hRhR R RR R /2 : Độ lợi dòng mode chung Ad = )/(2 febib b Lc c hRh R RR R : Độ lợi dòng mode vi sai 5.3.1 Tỷ số triệt tín hiệu đồng pha CMRR (Common Mode Rejection Ratio): Mạch khuếch đại vi sai lý tưởng: Ac = 0: iL = Ad'i Mạch thực tế: Định nghĩa: CMRR = c d A A CMRR = febib e febib febibe hRh R hRh hRhR /)/(2 /2 | (Giả sử Re >> hib + Rb/hfe) 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 12 Ví dụ 5: Cho mạch trong ví dụ 4. Tính CMRR. Giả sử i0 = 1PA, xác định giá trị tín hiệu ngõ vào mode vi sai để ngõ ra mode vi sai tối thiểu lớn hơn 100 lần ngõ ra mode chung. Ac | - 0.1 Ad | - 14 iL = -0.1i0 – 14'i CMRR = Ad / Ac = 140 (43dB) Để ngõ ra mode vi sai t 100ungõ ra mode chung: 14'i t 100u(0.1i0) 'i t 100u(i0 / CMRR) = 0.7 PA 5.3.2 Nguồn dòng cực phát (Emitter) Để tăng CMRR: Tăng Re : Sử dụng nguồn dòng tại cực E. Dùng TST T3 tại cực E: iC3 = e BBEE R VV 7.0 = const. Xem T3 là nguồn dòng x Phân tích tĩnh điểm: ICQ3 = e BBEE R VV 7.0 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 13 Do tính đối xứng: ICQ1 = ICQ2 = e BBEECQ R VVI 2 7.0 2 3 VC3 = VE1 = VE2 = - RbIb – VBE = fe CQb h IR 1 7.0 VCEQ1 = VCEQ2 = VC1 – VE1 = (VCC – RcICQ1) – ( fe CQb h IR 1 7.0 ) VCEQ3 = VC3 – VE3 = ( fe CQb h IR 1 7.0 ) - (-VEE + ReICQ3) x Phân tích tín hiệu nhỏ: Tương tự phần trên, thay Re bằng 1/hoe. Nhận xét: 1/hoe rất lớn: CMRR được tăng đáng kể. Chỉnh cân bằng: (Balance control) Thực tế: T1 và T2 khác nhau Dùng biến trở Rv giữa E1 và E2 để chỉnh cân bằng. 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 14 Điều kiện cân bằng: ICQ1 = ICQ2 KVL: RbIB1 + VBE1 + R1IEQ1 = RbIB2 + VBE2 + R2IEQ2 (Rb / hfe1 + R1)IEQ1 + VBE1 = (Rb / hfe2 + R2)IEQ2 + VBE2 Giả sử VBE1 = VBE2, cân bằng Rb / hfe1 + R1 = Rb / hfe2 + R2 Mặt khác: R1 + R2 = Rv R1 = ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § 21 11 22 fefe bv hh RR và R2 = ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § 21 11 22 fefe bv hh RR Phân tích tín hiệu nhỏ: Khi cân bằng: ICQ1 = ICQ2 hib1 = hib2 = hib Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Giống trường hợp đối xứng, trong đó hib1 + Rb1 / hfe1m hib1 + Rb1 / hfe1 + R1 = ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § 21 11 22 fefe bv ib hh RR h hib2 + Rb2 / hfe2m hib2 + Rb2 / hfe2 + R2 = ¸ ¸ ¹ · ¨ ¨ © § 21 11 22 fefe bv ib hh RR h Ad = )]/1/1)(2/(2/[2 21 fefebvib b Lc c hhRRh R RR R : Giảm so với trường hợp không dùng Rv Ac = )]/1/1)(2/(2/[)/1(2 213 fefebviboe b Lc c hhRRhh R RR R 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 15 Ví dụ 6: Thiết kế mạch sau để có CMRR = 100 (40dB). Tải 1K ghép AC. TST có hfe = 100. Theo hình vẽ: R1 = R2 = 50 :; hfe1 = hfe2 = 100. Sử dụng công thức tính Ad và Ac ở phần chỉnh cân bằng, thay 1/hoe bằng Re, suy ra: CMRR = ib e ib ibe c d h R h hR A A | 60100/20001002 100/1000502 Yêu cầu: CMRR t 100 Re t 100(60 + hib) Giả sử ICQ1 = ICQ2 = 1mA hib = 25 : Re t 8.5K. Chọn Re = 10K. Tính VEE: VEE = Rb1IB1 + VBE1 + R1IE1 + Re(2I1) = 20.8V DCLL: RDC = Rc + R2 + 2Re ACLL: Rac = Rc // RL 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 16 5.4 Cấu hình Darlington Phân tích tĩnh điểm: 9 DCLL cho T2: VCC = VCE2 + Rc(IC1 + IC2) + ReIE2 Do IC1 | IE1 = IB2 = IC2 / hfe2 << IC2 IC1 + IC2 | IC2 | IE2 VCC = VCE2 + (Rc + Re)IC2 DCLL: IC2 = ce CC CE ce RR V V RR 2 1 9 ACLL cho T2: Rac = (RL // Rc) 9 Tính tĩnh điểm Q: TST T2: VBB = VCCR1 / (R1 + R2); Rb = R1 // R2 )/( 4.1 21 2 fefebe BB CQ hhRR V I VCEQ2 tính từ DCLL TST T1: VCEQ1 = VCEQ2 – 0.7; ICQ1 = ICQ2 / hfe2 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 17 Phân tích tín hiệu nhỏ: Phản ánh mạch cực B1 của T1o Cực E1 và mạch cực E2 của T2o Cực B2 Tĩnh điểm: ICQ2 = hfe2ICQ1 hie2 = 112 2 2 2 CQ T CQfe T fe CQ T fe I V Ih V h I V h = hib1 Suy ra: Ai = 211 112 )/( )/( ieibfeb febfe Lc cfe i L hhhR hRh RR Rh i i | = 11 12 2 ibfeb bfe Lc Cfe hhR Rh RR Rh Ai = 1 21 2 )( ieb b Lc c fefe hR R RR R hh Xem 2TST ghép Darlington 1 TST có: hìe = 2hie1 và hfe = hfe1hfe2 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 18 Ví dụ 7: Xác định tĩnh điểm của mạch sau. Giả sử hfe = 100. Nguồn dòng T5: VB5 = 3.19.2 9.2 6 = -4.14V Giả sử IB5 << IC5 IC5 = K3.1 )6()7.014.4( = 0.9 mA Mạch đối xứng: IC3 = IC4 = IC5 / 2 = 0.45 mA IC1 = IC2 = IC3 / hfe = 4.5 PA IB1 = IB2 = IC1 / hfe = 45 nA KVL: VC1 = VC2 = VC3 = VC4 = VCC – 10K(IC3 + IC1) | 7.5V VE1 = VE2 = 0 – (105)(45u10-9) – 0.7 | -0.7V VE3 = VE4 = VE1 – 0.7 = -1.4V VC5 = VE3 – 50IC3 = -1.4 – 50(0.45u10-3) | - 1.4V 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 19 5.5 Mạch khuếch đại ghép Cascode MẠCH 1: Cấu hình: CE – CB: Thường dùng trong các mạch tần số cao. Phân tích tín hiệu nhỏ: Độ lợi truyền đạt (Transfer gain): 121 21 12 1 1 2 2 // // )( ie feLfb i b b e e L i L T hRR RR hRh i i i i i v i v A 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 20 Phân tích DC: Giả sử bỏ qua IB1 và IB2: VB1 = VCCR1 / (R1 + R2 + R3) VE1 = VB1 - VBE1 = VB1 – 0.7 IC1 = e B R V 7.01 = IC2 VB2 = VCC(R1 + R2) / (R1 + R2 + R3) VE2 = VB2 - VBE2 = VB2 – 0.7 VCE1 = VC1 - VE1 = (VE2 – RcIC1) – VE1 VCE2 = VC2 – VE2 = (VCC – RLIC2) – VE2 MẠCH 2: T1: CE T2 và T3: Mạch Cascode, dùng để chuyển mức DC của (vL) đến 0 (level shifting) dùng trong các mạch KĐ ghép trực tiếp (direct – coupled amplifiers). 0ҥFKÿLӋQWӱ Chương 5 21 Phân tích tĩnh điểm: Giả sử bỏ qua IB2, IB3. VB3 = (-6)(2.3K) / (2.3K + 3.7K) = -2.3V VE3 = VB3 - VBE3 = -2.3 – 0.7 = -3V IC3 = 3V / 3K = 1 mA Cần phải xác định Rb sao cho VLDC = 0. IB1 = (12 – 0.7) / Rb VC1 = 12 – 8KuIC1 = 12 – 8Ku[hfe1(12 – 0.7) / Rb] = VB2 VLDC = VE2 – 3.3KuIC2 = (VB2 – 0.7) – 3.3 = VB2 – 4 Để VLDC = 0 VB2 = 12 – 8Ku[hfe1(12 – 0.7) / Rb] = 4 Rb = hfe1(12 – 0.7) / 1mA Phân tích tín hiệu nhỏ: T1: Mắc CE. T2: Mắc CC. T3: Mắc CB. Xác định vL / vc1 : Mạch tương đương tín hiệu nhỏ của T2: Phản ánh trở kháng E2o B2 , trong đó R03 = 1/hob3 là tổng trở nhìn vào cực C của T3 (CB). )/1(3.3 )/1( 3222 32 1 obfefeie obfe C L hhKhh hh v v u | 1 Mạch Cascode (T2, T3) chỉ làm thay đổi mức DC ngõ ra mà không thay đổi độ lợi áp của mạch KĐ T1 (CE). 0ҥFKÿLӋQWӱ
File đính kèm:
- giao_trinh_mach_dien_tu_1_chuong_5_mach_transistor_ghep_lien.pdf