Giáo trình Mạch điện tử 1 - Chương 5: Mạch transistor ghép liên tầng

5.1 Giới thiệu

5.2 Ghép Cascade các mạch khuếch đại

5.3 Mạch khuếch đại vi sai (difference amplifier)

5.4 Cấu hình Darlington

5.5 Mạch khuếch đại ghép Casco

 

pdf21 trang | Chuyên mục: Mạch Điện Tử | Chia sẻ: tuando | Lượt xem: 1171 | Lượt tải: 0download
Tóm tắt nội dung Giáo trình Mạch điện tử 1 - Chương 5: Mạch transistor ghép liên tầng, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút "TẢI VỀ" ở trên
 
VE2 = (1.17mA)(1.8K + 0.6K) = 2.8V 
VC1 = VB2 = VBE + VE2 = 0.7 + 2.8 = 3.5V = 
VCE1
Ÿ IC1 = (9 – 3.5)/2.2K = 2.5 mA 
x Xác định MaxSwing: 
Vì tầng 2 mắc CE (Av thường >> 1) Ÿ MaxSwing = MaxSwing2.
Xét tầng 2: 
RDC = 1.3K + 1.8K + 0.6K = 3.7K 
Rac = 1.3K 
Từ DCLL và ACLL của tầng 2 Ÿ MaxSwing = 
MaxSwing2 = 1.5V 
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 7
x Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: K
I
Vhh
CQ
T
feie 1
1
11 | ; KI
V
hh
CQ
T
feie 14.2
2
22 | 
Suy ra: > @ »
¼
º
«
¬
ª
»¼
º
«
¬
ª

uu 
1)8.0//6.0(
)8.0//6.0(
)//8.1//6.0(2.0
1
2.2
2.2100
3.1100
12
1
1
2
2 KhKh
K
v
i
i
i
i
v
v
v
A
ieiei
b
b
b
b
L
i
L
v
 Av = 4000 (| 72dB) 
Oån định phân cực: Mạch khuếch đại AC: Các tầng độc lập DC: Chương 3 
 Mạch khuếch đại DC: Big problem !!! 
Ví dụ 3: Xác định thay đổi của dòng tĩnh gây ra do ảnh hưởng của nhiệt độ lên VBE trong ví dụ 2. 
x Hồi tiếp: 
x Xác định độ ổn định: 'IC1 /'T và 'IC2 /'T:
VB2 = 9V – 2.2K(IC1 + IB2) = 9 – 2.2K(IC1 + IC2 / hfe2)
Ÿ VE2 = VB2 – VBE2 = 9 – 2.2K(IC1 + IC2 / hfe2) – VBE2
Mặt khác: VE2 = 1.8KuIE2 + VBE1 | 1.8KuIC2 + VBE1
Ÿ IC2(1.8K + 2.2K / hfe2) = 9 – 2.2KuIC1 – VBE1 – VBE2
Tại B1: IC2 | IE2 = IB1 + VBE1 / 0.6K | IC1 / hfe1 + VBE1 / 0.6K 
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 8
Ÿ IC1(2.2K + 1.8K / hfe1 + 2.2K / (hfe1hfe2)) = 9 - VBE1(1 + 1.8K / 0.6K + 2.2K / (hfe20.6K)) - VBE2
Ÿ IC1 | K
VV BEBE
2.2
49 21 
Khi nhiệt độ thay đổi: 'VBE / 'T = -k = -2.5 mV/0CŸ K
CmV
T
IC
2.2
/5.25 01 u 
'
'
 = 5.7 PA/0C
Tại B1:IC2 = IC1 / hfe1 + VBE1 / 0.6K Ÿ K
CmV
T
V
KT
I
hT
I BEC
fe
C
6.0
/5.2
6.0
11 011
1
2 |
'
'

'
'
'
'
 = -4.2 PA/0C
5.3 Mạch khuếch đại vi sai (difference amplifier) 
Sử dụng: 
Phân tích: Giả sử mạch đối xứng, các TST giống nhau, mạch cực B giống nhau 
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 9
Phân tích tĩnh điểm: 
VE1 = VE2 = (IE1 + IE2)Re – VEE = 2IE1Re – VEE = 2IE2Re – VEE
Do tính đối xứng, tách thành 2 mạch (Reo 2Re):
Ÿ IEQ1 = IEQ2 = 
febe
EE
hRR
V
/2
7.0


VCEQ1 = VCEQ2 = VCC + VEE – ICQ(Rc + 2Re)
Ví dụ 4: Trong mạch trên, cho VCC = VEE = 10V; Rb = 0.2K; Re = 0.9K; Rc = 0.2K; RL = 10:. Tính 
dao động cực đại dòng tải. Xem 2Re >> Rb / hfe
Theo phân tích tĩnh điểm: ICQ = (10 – 0.7) / (2u0.9) = 5.17 mA 
 VCEQ = 10 + 10 – 5.17(0.2 + 2u0.9) = 9.66V 
DCLL: RDC = Rc + 2Re = 2K 
ACLL: Rac = Rc // RL | 10: (???) 
Dựa vào đồ thị: IC2max = 5.17 mA Ÿ ILmax | 5.17 mA 
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 10
Phân tích tín hiệu nhỏ: 
Phản ánh mạch cực B (nguồn i1 và i2) về cực E: 
Đặt i0 = (i1 + i2)/2 và 'i = i2 – i1Ÿ i1 = i0 – ('i/2) và i2 = i0 + ('i/2) 
Dùng phương pháp chồng trập cho mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tách thành 2 mode: 
x Mode chung (common mode): i1 = i2 = i0
Do đối xứng: ie1c = ie2cŸ iRe = 2ie1c = 2ie2c
Ÿ ve = (2Re)ie2c
Tách đôi: Reo 2Re
Ÿ ie2c = 
febibe
b
hRhR
iR
/2
0

0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 11
x Mode vi sai (differential mode): i2 = - i1 = 'i/2 
ie1d = - ie2dŸ iRe = 0 Ÿ ve = 0. 
Ngắn mạch ReŸ ie2d = 
)/(2 febib
b
hRh
iR

'
x Chồng trập (superposition): 
 ie2 = ie2c + ie2d = ihRh
R
i
hRhR
R
febib
b
febibe
b '


 )/(2/2 0
 iL = 2ie
Lc
c i
RR
R


 = Aci0 + Adid
trong đó: Ac = 
febibe
b
Lc
c
hRhR
R
RR
R
/2 

: Độ lợi dòng mode chung 
 Ad = 
)/(2 febib
b
Lc
c
hRh
R
RR
R


: Độ lợi dòng mode vi sai 
5.3.1 Tỷ số triệt tín hiệu đồng pha CMRR (Common Mode Rejection Ratio):
Mạch khuếch đại vi sai lý tưởng: Ac = 0: iL = Ad'i
Mạch thực tế: Định nghĩa: CMRR = 
c
d
A
A
CMRR = 
febib
e
febib
febibe
hRh
R
hRh
hRhR
/)/(2
/2

|


 (Giả sử Re >> hib + Rb/hfe)
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 12
Ví dụ 5: Cho mạch trong ví dụ 4. Tính CMRR. Giả sử i0 = 1PA, xác định giá trị tín hiệu ngõ vào 
mode vi sai để ngõ ra mode vi sai tối thiểu lớn hơn 100 lần ngõ ra mode chung. 
Ac | - 0.1 
Ad | - 14 
Ÿ iL = -0.1i0 – 14'i
CMRR = Ad / Ac = 140 (43dB) 
Để ngõ ra mode vi sai t 100ungõ ra mode chung: 14'i t 100u(0.1i0)
Ÿ 'i t 100u(i0 / CMRR) = 0.7 PA
5.3.2 Nguồn dòng cực phát (Emitter) 
Để tăng CMRR: Tăng Re : Sử dụng nguồn dòng tại cực E. 
Dùng TST T3 tại cực E: 
iC3 = 
e
BBEE
R
VV 7.0
 = const. 
Ÿ Xem T3 là nguồn dòng 
x Phân tích tĩnh điểm: 
ICQ3 = 
e
BBEE
R
VV 7.0
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 13
Do tính đối xứng: ICQ1 = ICQ2 = 
e
BBEECQ
R
VVI
2
7.0
2
3  
VC3 = VE1 = VE2 = - RbIb – VBE = 
fe
CQb
h
IR 1
7.0 
Ÿ VCEQ1 = VCEQ2 = VC1 – VE1 = (VCC – RcICQ1) – (
fe
CQb
h
IR 1
7.0  )
VCEQ3 = VC3 – VE3 = (
fe
CQb
h
IR 1
7.0  ) - (-VEE + ReICQ3)
x Phân tích tín hiệu nhỏ: 
Tương tự phần trên, thay Re bằng 1/hoe.
Nhận xét: 1/hoe rất lớn: CMRR được tăng đáng kể. 
Chỉnh cân bằng: (Balance control) 
Thực tế: T1 và T2 khác nhau Ÿ
Dùng biến trở Rv giữa E1 và E2 để 
chỉnh cân bằng. 
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 14
Điều kiện cân bằng: ICQ1 = ICQ2
KVL: RbIB1 + VBE1 + R1IEQ1 = RbIB2 + VBE2 + R2IEQ2
Ÿ (Rb / hfe1 + R1)IEQ1 + VBE1 = (Rb / hfe2 + R2)IEQ2 + VBE2
Giả sử VBE1 = VBE2, cân bằng Ÿ Rb / hfe1 + R1 = Rb / hfe2 + R2
Mặt khác: R1 + R2 = Rv
Ÿ R1 = ¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

21
11
22 fefe
bv
hh
RR
 và R2 = ¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

21
11
22 fefe
bv
hh
RR
Phân tích tín hiệu nhỏ:
Khi cân bằng: ICQ1 = ICQ2Ÿ hib1 = hib2 = hib
Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Giống trường hợp đối xứng, trong đó 
hib1 + Rb1 / hfe1m hib1 + Rb1 / hfe1 + R1 = ¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

21
11
22 fefe
bv
ib hh
RR
h
hib2 + Rb2 / hfe2m hib2 + Rb2 / hfe2 + R2 = ¸
¸
¹
·
¨
¨
©
§

21
11
22 fefe
bv
ib hh
RR
h
Ÿ Ad = 
)]/1/1)(2/(2/[2 21 fefebvib
b
Lc
c
hhRRh
R
RR
R


: Giảm so với trường hợp không dùng Rv
Ac = 
)]/1/1)(2/(2/[)/1(2 213 fefebviboe
b
Lc
c
hhRRhh
R
RR
R


0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 15
Ví dụ 6: Thiết kế mạch sau để có CMRR = 100 (40dB). Tải 1K ghép AC. TST có hfe = 100. 
Theo hình vẽ: R1 = R2 = 50 :; hfe1 = hfe2 = 
100.
Sử dụng công thức tính Ad và Ac ở phần chỉnh cân bằng, thay 1/hoe bằng Re, suy ra: 
CMRR = 
ib
e
ib
ibe
c
d
h
R
h
hR
A
A

|


60100/20001002
100/1000502
Yêu cầu: CMRR t 100 Ÿ Re t 100(60 + hib)
Giả sử ICQ1 = ICQ2 = 1mA Ÿ hib = 25 : Ÿ Re t 8.5K. Chọn Re = 10K. 
Tính VEE: VEE = Rb1IB1 + VBE1 + R1IE1 + Re(2I1) = 20.8V 
DCLL: RDC = Rc + R2 + 2Re
ACLL: Rac = Rc // RL
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 16
5.4 Cấu hình Darlington 
Phân tích tĩnh điểm: 
9 DCLL cho T2: VCC = VCE2 + Rc(IC1 + IC2) + ReIE2
Do IC1 | IE1 = IB2 = IC2 / hfe2 << IC2Ÿ IC1 + IC2 | IC2 | IE2
Ÿ VCC = VCE2 + (Rc + Re)IC2
Ÿ DCLL: IC2 = 
ce
CC
CE
ce RR
V
V
RR 


 2
1
9 ACLL cho T2: Rac = (RL // Rc)
9 Tính tĩnh điểm Q:
TST T2: VBB = VCCR1 / (R1 + R2); Rb = R1 // R2
Ÿ
)/(
4.1
21
2
fefebe
BB
CQ hhRR
V
I


 Ÿ VCEQ2 tính từ DCLL 
TST T1: VCEQ1 = VCEQ2 – 0.7; ICQ1 = ICQ2 / hfe2
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 17
Phân tích tín hiệu nhỏ: 
Phản ánh mạch cực B1 của T1o Cực E1 và mạch cực E2 của T2o Cực B2
Tĩnh điểm: ICQ2 = hfe2ICQ1Ÿ hie2 = 
112
2
2
2
CQ
T
CQfe
T
fe
CQ
T
fe I
V
Ih
V
h
I
V
h = hib1
Suy ra: Ai = 
211
112
)/(
)/(
ieibfeb
febfe
Lc
cfe
i
L
hhhR
hRh
RR
Rh
i
i


| = 
11
12
2 ibfeb
bfe
Lc
Cfe
hhR
Rh
RR
Rh


Ai = 
1
21
2
)(
ieb
b
Lc
c
fefe hR
R
RR
R
hh


Ÿ Xem 2TST ghép Darlington œ 1 TST có: hìe = 2hie1 và hfe = hfe1hfe2
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 18
Ví dụ 7: Xác định tĩnh điểm của mạch sau. Giả sử hfe = 100. 
Nguồn dòng T5: VB5 = 
3.19.2
9.2
6

 = -4.14V 
Giả sử IB5 << IC5
Ÿ IC5 = K3.1
)6()7.014.4( 
 = 0.9 mA 
Mạch đối xứng: IC3 = IC4 = IC5 / 2 = 0.45 mA 
Ÿ IC1 = IC2 = IC3 / hfe = 4.5 PA
Ÿ IB1 = IB2 = IC1 / hfe = 45 nA 
KVL: VC1 = VC2 = VC3 = VC4 = VCC – 10K(IC3 + 
IC1) | 7.5V 
VE1 = VE2 = 0 – (105)(45u10-9) – 0.7 | -0.7V 
Ÿ VE3 = VE4 = VE1 – 0.7 = -1.4V 
VC5 = VE3 – 50IC3 = -1.4 – 50(0.45u10-3) | -
1.4V
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 19
5.5 Mạch khuếch đại ghép Cascode 
MẠCH 1: 
Cấu hình: CE – CB: Thường dùng trong các mạch tần số cao. 
Phân tích tín hiệu nhỏ: 
Độ lợi truyền đạt (Transfer gain): 
121
21
12
1
1
2
2 //
//
)(
ie
feLfb
i
b
b
e
e
L
i
L
T hRR
RR
hRh
i
i
i
i
i
v
i
v
A

 
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 20
Phân tích DC: 
Giả sử bỏ qua IB1 và IB2:
VB1 = VCCR1 / (R1 + R2 + R3)
Ÿ VE1 = VB1 - VBE1 = VB1 – 0.7 
Ÿ IC1 = 
e
B
R
V 7.01  = IC2
VB2 = VCC(R1 + R2) / (R1 + R2 + R3)
Ÿ VE2 = VB2 - VBE2 = VB2 – 0.7 
Ÿ VCE1 = VC1 - VE1 = (VE2 – RcIC1) – VE1
VCE2 = VC2 – VE2 = (VCC – RLIC2) – VE2
MẠCH 2: 
T1: CE 
T2 và T3: Mạch Cascode, dùng để chuyển mức 
DC của (vL) đến 0 (level shifting) dùng trong các 
mạch KĐ ghép trực tiếp (direct – coupled 
amplifiers). 
0ҥFKÿLӋQWӱ
Chương 5 21
Phân tích tĩnh điểm: 
Giả sử bỏ qua IB2, IB3.
VB3 = (-6)(2.3K) / (2.3K + 3.7K) = -2.3V 
VE3 = VB3 - VBE3 = -2.3 – 0.7 = -3V 
Ÿ IC3 = 3V / 3K = 1 mA 
Cần phải xác định Rb sao cho VLDC = 0. 
IB1 = (12 – 0.7) / Rb
Ÿ VC1 = 12 – 8KuIC1 = 12 – 8Ku[hfe1(12 – 0.7) / Rb] = VB2
VLDC = VE2 – 3.3KuIC2 = (VB2 – 0.7) – 3.3 = VB2 – 4 
Để VLDC = 0 Ÿ VB2 = 12 – 8Ku[hfe1(12 – 0.7) / Rb] = 4 
Ÿ Rb = hfe1(12 – 0.7) / 1mA 
Phân tích tín hiệu nhỏ: 
T1: Mắc CE. 
T2: Mắc CC. 
T3: Mắc CB. 
Xác định vL / vc1 : Mạch tương đương tín hiệu nhỏ của T2: Phản ánh trở kháng E2o B2 , trong đó 
R03 = 1/hob3 là tổng trở nhìn vào cực C của T3 (CB). 
)/1(3.3
)/1(
3222
32
1 obfefeie
obfe
C
L
hhKhh
hh
v
v
u
 | 1 
Ÿ Mạch Cascode (T2, T3) chỉ làm thay đổi mức DC ngõ ra mà không thay đổi độ lợi áp của mạch 
KĐ T1 (CE).
0ҥFKÿLӋQWӱ

File đính kèm:

  • pdfgiao_trinh_mach_dien_tu_1_chuong_5_mach_transistor_ghep_lien.pdf