Đề thi trắc nghiệm môn Dụng cụ bán dẫn - ĐHQG TP HCM
Câu 1):
Xét BJT NPN (có = 100) ở chế độ tích cực thuận với IC=1mA , khi đó hỗ dẫn gm và r (=hie) là:
a) 25mS và 15.625K b) 40mS và 4K c) 25mS và 2.5K d) 40mS và 2.5K e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 2): Mạch gương dòng điện ở hình 1 với các BJT có cùng VBEQ = 0.7V, VA= và đặc điểm cấu tạo giống nhau. Gọi IREF là dòng điện qua RREF và IL là dòng điện qua RL. Nếu ta muốn có IL ≥ 0.99 IREF thì các BJT phải có β tối thiểu là
a) 202 b) 198 c) 194 d) 190 e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 3): Với mạch ở hình 2 có VCC=10V, VBEQ = 0.7V, RC=10K, RB=100K, và RE=2 K. Nếu VC = 2.5V thì BJT này có β là
a) 245 b) 249 c) 194 d) 185 e) 4 ĐS trên đều sai
Tóm tắt nội dung Đề thi trắc nghiệm môn Dụng cụ bán dẫn - ĐHQG TP HCM, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút "TẢI VỀ" ở trên
u sai Câu : Xét đặc tuyến vào của BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi nhiệt độ tăng (giữ IB=const) thì điện áp VBE sẽ: a) giảm b) không đổi c) tăng d) lúc tăng lúc giảm e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu : Trong thực tế dùng Ohm kế để nhận dạng chân E, B, và C thì phát hiện JE sẽ có điện trở thuận nhỏ nhất vì: (ký hiệu NDE, NDB, NDC lần lượt là các nồng độ tạp chất tại miền E, B, và C) a) NDE << NDB << NDC b) NDE = NDB << NDC c) NDB << NDC << NDE d) NDC << NDB << NDE e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu : Để cho hiệu suất phát tốt hơn thì người ta phải pha tạp chất sao cho: a) nồng độ tạp chất tại E << tại C b) nồng độ tạp chất tại B << tại C c) nồng độ tạp chất tại C << tại E d) nồng độ tạp chất tại B << tại E e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu : Với BJT được dùng làm khóa điện tử, người ta thường dùng cách mắc: a) CD b) CB c) CE d) CC e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi nhiệt độ tăng thì trị số b của BJT sẽ: a) giảm b) không đổi c) tăng d) lúc tăng lúc giảm e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét BJT NPN ở chế độ tích cực thuận, khi ta tăng VCE thì với hiệu ứng điều chế miền nền làm cho trị số b của BJT sẽ: a) giảm b) không đổi c) tăng d) lúc tăng lúc giảm e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu : Với BJT mắc CB thì điện áp đánh thủng BVCB a) tăng khi IE tăng b) tăng khi IE giảm c) giảm khi IE tăng d) không bị ảnh hưởng bởi IE e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Người ta dùng transistor Schottky cho ứng dụng a) nguồn dòng b) dòng lớn c) công suất lớn d) tốc độ chuyển mạch nhanh e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét BJT NPN (có b = 100) ở chế độ tích cực thuận với IC=1mA , khi đó hỗ dẫn gm và rp (=hie) là: a) 25mS và 15.625 KW b) 40mS và 4 KW c) 25mS và 2.5 KW d) 40mS và 2.5 KW e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu : Mạch gương dòng điện ở hình 1 với các BJT có cùng VBEQ = 0.7V, VA= ¥ và đặc điểm cấu tạo giống nhau. Gọi IREF là dòng điện qua RREF và IL là dòng điện qua RL. Nếu ta muốn có IL ≥ 0.99 IREF thì các BJT phải có β tối thiểu là a) 202 b) 198 c) 194 d) 190 e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Với mạch ở hình 2 có VCC=10V, VBEQ = 0.7V, RC=10KW, RB=100KW, và RE=2 KW. Nếu VC = 2.5V thì BJT này có β là a) 245 b) 249 c) 194 d) 185 e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Hình 3 với R1=10KW,R2=2KW,RE=1KW,b=100,VCC=12V và VBE=0.7V. BJT vẫn ở tích cực thuận khi RC: (giả sử VCEsat=0.2V và xem IE » IC) a) < 8428W b) < 8328W c) < 8228W d) < 8128W e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Với số liệu của câu trên, nếu RC = 1KW và BJT có VA=110V thì điện trở ra rc (=1/hoe) của nó xấp xỉ là (bỏ qua VCEQ) a) 74 KW b) 78 KW c) 82 KW d) 86 KW e) 4 ĐS trên đều sai Câu : BJT trong hình 4 được phân cực ở chế độ a) Tắt b) Tích cực ngược c) Tích cực thuận d) Bão hòa e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Mạch ở hình 5 có VCC=12V và b=50, ta muốn BJT hoạt động ở VBEQ=0.7V, VCEQ = 6V, và ICQ=2mA. Khi đó phải dùng các điện trở RB và RC có giá trị lần lượt là: a) 282.5KW và 6KW b) 250KW và 3KW c) 282.5KW và 3KW d) 315KW và 3KW e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Thyristor được tạo nên từ diode 4 lớp với thứ tự các lớp từ A đến K như sau: a) n, p, n, p b) n, p, p, n c) p, n, p, n d) p, n, n, p e) 4 ĐS trên đều sai II. Phần JFET Câu : JFET thuộc loại dụng cụ a) lưỡng cực b) đơn cực c) công suất d) tuyến tính e) 4 ĐS trên đều sai Câu : JFET có thể được dùng làm nguồn dòng trong miền a) Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Tuyến tính e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Để điều khiển dòng điện kênh dẫn của JFET người ta sẽ dùng cách nào tác động với cực cổng và kênh dẫn a) từ trường b) nguồn dòng c) điện trường d) dòng điện lớn e) 4 ĐS trên đều sai Câu : MESFET kênh N có tốc độ chuyển mạch cao hơn JFET kênh N vì giữa cực cổng và kênh dẫn là: a) chuyển tiếp P+-N b) chuyển tiếp N+-P c) Tụ MOS d) chuyển tiếp M-S e) 4 ĐS trên đều sai Câu : JFET kênh P với cách mắc CS trong mạch khuếch đại, thường có điện trở vào lớn vì: a) VGS > 0 b) VGS < 0 c) VGS=0 d) pha nhiều tạp chất e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Với JFET kênh N, VDS giá trị nhỏ và khi thay đổi VGS (VGS> VGS,off) thì quan hệ giữa VDS và ID là: a) lũy thừa b) hàm mũ c) hyperbol d) tuyến tính e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Khi phân cực VDS giá trị nhỏ (<0.1V) , người ta có thể đảo ngược vai trò của D và S được không? a) nếu thêm R ở G b) nếu thêm R ở S c) được d) không được e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét N-JFET ở chế độ bão hòa, khi ta tăng VDS thì trị số gm của JFET sẽ: a) giảm b) không đổi c) tăng d) lúc tăng lúc giảm e) cả 4 ĐS trên đều sai Câu : Trong đặc tuyến ra của JFET kênh N thì dòng ID lớn nhất khi a) VGS > 0 b) VGS=0 c) VGS < 0 d) VDS=VGS e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét JFET kênh N hoạt động ở miền bão hòa, khi nhiệt độ tăng thì hỗ dẫn gm sẽ a) tăng b) không đổi c) giảm d) lúc tăng lúc giàm e) 4 ĐS trên đều sai Câu : JFET kênh N có VP = –3V, nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S so với đất là: VD=3.5V, VG=0.5V, và VS= –0.5V trong mạch thì JFET hoạt động ở miền a) Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Đánh thủng e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Với hình 6 có RL = 2KW, để JFET được phân cực ở miền bão hòa thì VDD tối thiểu bằng a) 11 V b) 9 V c) 7 V d) 5 V e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Với hình 7 có R1=140KW, R2=60KW, RD=2.7KW, RS=2KW, IDSS=8mA, Vp= –4V và VDD=20V; JFET này làm việc với điểm tĩnh (VGSQ, IDQ) có trị xấp xỉ là a) (-0.8V; 2.65mA) b) (-1.30V; 3.65mA) c) (-1.70V; 4.7mA) d) (-1.5V; 3.68mA) e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Cùng số liệu với câu trên thì JFET trong mạch này có tần số cắt fT là (biết Cgs=20pF và Cgd=2pF) a) 25.08MHz b) 22.17MHz c) 21.34MHz d) 19.54MHz e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét hình 8, JFET có các tham số VP= –3.5 V, IDSS = 18 mA, và VA = ∞ V. Khi đó VDS có giá trị là a) 7.43 V b) 8.6 V c) –1.17 V d) 1.17 V e) 4 ĐS trên đều sai Câu : JFET trong hình 9 (có R= 1KW, IDSS=20mA và Vp= –4V) được dùng làm điện trở được điều khiển bằng áp, ta muốn có tỉ lệ chia áp Vout/Vin = 1/5 thì phải phân cực JFET với VGS là a) –1.2 V b) –1.6 V c) –2.0 V d) –2.4 V e) 4 ĐS trên đều sai III. Phần MOSFET Câu : MOSFET có thể được dùng làm điện trở được điều khiển bằng điện áp trong miền a) Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Tích cực e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Điều kiện nào sau đây dùng để xác định N-EMOS ở miền triode a) VGS < VTN và VDS<VGS–VTN b) VGS VGS–VTN c) VGS > VTN và VDS >VGS–VTN d) VGS > VTN và VDS<VGS–VTN e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Dòng điện cổng (IG) trong MOSFET a) tăng khi VGS>0 b) giảm khi VGS< 0 c) luôn luôn = 0. d) có khi VDS>0 e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Tụ MOS gồm 3 miền a) kim loại, bán dẫn và kim loại b) kim loại, bán dẫn và nhựa c) kim loại, oxide và kim loại d) kim loại, oxide và bán dẫn e) 4 ĐS trên đều sai Câu : MOSFET loại nghèo khi chưa được phân cực thì a) có sẵn kênh dẫn b) không có sẵn kênh dẫn c) miền nghèo làm nghẹt kênh dẫn d) tích lũy hạt dẫn thiểu số e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét tụ MOS của N-EMOS được phân cực: VFB < VGS < VTN, khi đó tụ MOS ở chế độ a) bão hòa b) tích lũy lổ c) đảo ngược d) nghèo e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Để có thể điều khiển dòng điện từ S sang D, người ta sử dụng tụ MOS ở chế độ a) bão hòa b) tích lũy lổ c) nghèo d) đảo ngược e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét N-EMOS ở miền bão hòa, khi nhiệt độ tăng thì dòng ID a) tăng b) giảm c) tăng gấp đôi d) giảm phân nửa e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét N-EMOS ở miền bão hòa, khi giảm VDS (vẫn còn ở bão hòa) thì dòng ID a) giảm b) giảm phân nửa c) tăng d) tăng gấp đôi e) 4 ĐS trên đều sai Câu : P-EMOS có VTP = -0.4V, nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S so với đất là: VD=0.3V, VG=0V, và VS= 1V trong mạch thì P-EMOS hoạt động ở miền a) Tắt b) Bão hòa c) Triode d) Đánh thủng e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Dùng N-EMOS làm điện trở, nếu W/L tăng gấp đôi và VGS,mới=2VGS,cũ=3VTN thì RDS,mới/RDS,cũ= a) 1/10 b) 1/8 c) 1/6 d) 1/4 e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Xét mạch hình 10 với vi=0, N-EMOS có VTN=2V, Kn=0.5mA/V2, ta muốn có ID = 0.4mA khi đó phải phân cực VGG bằng a) 1.53 V b) 1.75 V c) 2.82 V d) 2.89 V e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Với hình 11, giả sử λ=0, VTN=0.75V, = 4mA/V2, M1 vẫn ở miền bão hòa khi W/L có trị số a) > 3.87 b) £ 12.4 c) £ 10.5 d) £ 8.3 e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Hình 12 là mạch gương dòng điện với M1 và M2 có các tham số: ; VTN,M1=VTN,M2; lM1=lM2=0. Muốn có Ix = 2Ibias thì (W/L)M2/(W/L)M1 bằng a) 4 b) 6 c) 1/4 d) 1/63 e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Mạch ở hình 13 có VDD=10V, R1=800KW, R2=500KW, RD=4KW, RS=1KW và dùng N-EMOS có VTN=1V, =100 mA/V2 , và VA=150V. MOSFET này có gm (khi tính IDQ cho l=0) và điện trở ra ro là a) »(0.16mS;94KW) b) »(2.3mS; 80KW) c) »(0.142mS;39KW) d) »(0.25mS;34KW) e) 4 ĐS trên đều sai Câu : Với mạch hình 14, các N-EMOS có VTN=0.8V, = 4 mA/V2, M1 có W/L=1, Vi=5V. Nếu ta muốn có VO = 0.1 V thì M2 phải có W/L xấp xỉ là a) 16 b) 20 c) 24 d) 28 e) 4 ĐS trên đều sai BMĐT Phụ lục: Các hình vẽ trong bài thi môn Dụng cụ bán dẫn (HK1–NH:2010-2011) Hình 1 Hình 2 Hình 3 Hình 4 Hình 5 IDSS = 2mA Vp = –3V Hình 6 Hình 7 Hình 8 Hình 9 Hình 10 Hình 11 Hình 12 Hình 13 Hình 14 BMĐT Hồ Trung Mỹ
File đính kèm:
de_thi_trac_nghiem_mon_dung_cu_ban_dan_dhqg_tp_hcm.docx
