Bài tập môn Dụng cụ bán dẫn - Chương 5 - Bài tập về BJT

BT về BJT (2011) – 1 
Chương 5 
Bài tập về BJT (AY1112-S1) 
(Giả sử các BJT đều làm từ Si và điện áp để JE dẫn là 0.7V và bão hòa:VBEsat=0.8 và VCEsat=0.2V) 
1. Với các trường hợp sau BJT hoạt động ở miền nào? 
a) NPN: VCB = 0.7V, VCE = 0.2V 
b) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 0.3V 
c) NPN: VCB = 1.4V, VCE = 2.1V 
d) PNP: VEB = 0.6V, VCE = –4V 
e) PNP: VCB = –0.6V, VCE = –5.4V 
f) PNP: VCB = 0.9V, VCE=0.4V 
2. Hãy xác định xem các BJT trong hình 5.1 được phân cực ở miền hoạt động nào và tìm IB, IC, VCE (biết BJT có 
β = 100)? 
Hình 5.1 Hình 5.2 Hình 5.3 Hình 5.4 
3. Mạch trong hình 5.2 với BJT có  = 150 và VCC = 12V, RC = 1.5K. Hãy xác định giá trị của RB để BJT làm 
việc ở miền: a) tích cực thuận; b) bão hòa. 
4. Mạch trong hình 5.3 với BJT có  = 150, VCC = 12V, RC = 1.5K và RE = 500. Hãy xác định giá trị của RB 
để BJT làm việc ở miền: a) tích cực thuận; b) bão hòa. 
5. Mạch trong hình 5.4 với BJT có  = 150 và VCC = 12V, RC = 1.5K. Hãy xác định giá trị của RB để BJT làm 
việc ở miền: a) tích cực thuận; b) bão hòa. 
6. Hình 5.5 cho thấy các điện thế đo được tại các chân B và E cùa các BJT. Hãy tìm  của mỗi BJT trong mạch, 
biết các BJT đang ở chế độ tích cực thuận. 
Hình 5.5 
BT về BJT (2011) – 2 
7. Xét BJT loại NPN ở chế độ tích cực thuận. 
a) Hãy xác định IE,  và  cho BJT có IB = 5 µA và IC =0.62 mA 
b) Hãy xác định IB, IC, và  cho BJT có IE = 1.2 mA và  =0.9915 
8. Hãy xác định miền làm việc của BJT loại NPN có  = 100 cho các trường hợp sau: 
a) IB = 50 µA và IC = 3 mA. 
b) IB = 50 µA và VCE = 5 V. 
c) VBE = –2 V và VCE = –1 V. 
9. Mạch ở hình 5.6 thường dùng để xác định  và IS của BJT. Các diode trong mạch được phân cực thuận và có 
sụt áp trên mỗi diode là 0.7V. Nếu người ta đo được IB = 6.28 µA và IE = 9.29 mA, hãy xác định  và IS. 
 Hình 5.6 Hình 5.7 
10. Cho mạch ở hình 5.7 với BJT có  = 80 và IS = 5x10–14A. Hãy tìm các giá trị điện trở RB và RC sao cho BJT 
làm việc ở chế độ tích cực với IC = 8mA và VCE = 5V (biết VCC = 12V). 
11. Cho trước cấu tạo của 3 BJT ở hình 5.8. Giả sử các BJT này được chế tạo cùng vật liệu Si và có tham số chế 
tạo giống nhau trừ các tham số có thay đổi như trong hình 5.8. Hãy so sánh giá trị hiệu suất phát e, hệ số vận 
chuyển miền nền B, và  của BJT 1 với 2 BJT còn lại? 
Hình 5.8 
12. BJT có điện trở ra ro = 225 K ở IC = 0.8 mA. Hãy tìm: 
a) Điện áp Early VA. 
b) Áp dụng kết quả của a) để tìm điện trở ra ro ở IC = 0.08 mA và ở IC = 8 mA.. 
13. Xét BJT ở chế độ tích cực thuận có IC = 1 mA khi VCE = 1 V, và VBE được giữ không đổi. Hãy xác định IC khi 
VCE = 10 V nếu: 
a) VA = 75 V b) VA = 150 V 
BT về BJT (2011) – 3 
14. Hãy tìm hiệu suất phát e, hệ số vận chuyển miền nền B và  của BJT NPN với các tham số sau: NDE = 
1x1018cm–3, NAB = 1x1016cm–3, Dn = Dp, WB = 100nm, và Lp= Ln = 1µm. 
Hình 5.9 Hình 5.10 Hình 5.11 Hình 5.12 
15. Các điện áp phân cực trong mạch hình 5.9 là V+=3.3V và V– = –3.3V. Điện thế đo được tại collector là 
VC=2.27 V. Hãy xác định IB, IC, IE,  và . 
16. Các điện áp phân cực trong mạch hình 5.10 là V+= 5V và V– = –5V. Giả sử BJT này có =85. Hãy xác định IB, 
IC, IE và VEC. 
17. Với mạch ở hình 5.11, hãy tìm RE và RC để BJT có IEQ=0.125 mA, VECQ=2.2V. Biết BJT có =110. 
18. Với mạch ở hình 5.12, BJT có  = 0.992. Hãy tìm RE để IE = 1mA. Từ đó tìm tiếp IB, IC và VBC. 
 Hình 5.13 Hình 5.14 Hình 5.15 
19. Cho mạch ở hình 5.13 với BJT có  =100, người ta muốn LED tắt khi VI = 0V và LED sáng với ILED= 15mA 
và VLED = 1.5V khi VI=5V. Hãy tính các giá trị linh kiện RB1 và R1 cho các trường hợp sau: 
a) LED sáng với BJT ở chế độ bão hòa. 
b) LED sáng với BJT ở chế độ tích cực thuận. 
20. Cho mạch ở hình 5.14 với BJT có  =150, hãy tìm IC, IE và VC cho các trường hợp sau: a) VB = 0.2V; b) VB = 
0.9V; c) VB = 1.5V; và d) VB = 2.2V. 
21. Cho mạch ở hình 5.15 với BJT có  =80, hãy xác định 
a) VI để có VCEQ = 6V. 
b) Dải trị số của VI để có: 3V  VCEQ  9V. 
BT về BJT (2011) – 4 
22. Cho mạch ở hình 5.16 với BJT có IS = 6 x 10–16A và  >> 1, hãy tìm VX trong trường hợp: a) không dùng xấp 
xỉ VBE ; b) dùng xấp xỉ VBE=0.7V. 
 Hình 5.16 Hình 5.17 
23. Cho mạch ở hình 5.17 với BJT có IS = 7 x 10–16A và  =100, nếu R1 = 10K hãy tìm VB để cho IC = 1mA 
(biết collector được nối với tải lên nguồn dương vẫn duy trì BJT ở chế độ tích cực thuận) trong trường hợp: 
a) không dùng xấp xỉ VBE ; b) dùng xấp xỉ VBE=0.7V. 
24. Hãy xác định điểm hoạt động và mô hình tín hiệu nhỏ của Q1 cho các trường hợp trong hình 5.18. Giả sử BJT 
có IS = 8 x 10–16A,  =100 và VA =. 
Hình 5.18 
 Hình 5.19 Hình 5.20 
BT về BJT (2011) – 5 
25. Cho mạch ở hình 5.19 với BJT có IS = 5 x 10–17A , hãy tìm VX trong trường hợp: a) VA = ; b) VA =5V. 
26. Cho mạch ở hình 5.20 với BJT có IS = 1 x 10–17A và VA=5V, hãy tìm sự thay đổi trong dòng IC nếu VCC thay 
đổi từ 2.5V đến 3V. 
 Hình 5.21 Hình 5.22 
27. Cho mạch ở hình 5.21 với RE = 600, RC = 5.6K, R1 = 250K, R2 = 75K,  = 120 và VA =. 
a) Tính điểm tĩnh Q của BJT (ICQ và VCEQ). 
b) Tính các tham số H của mô hình tín hiệu nhỏ. 
c) Tính hỗ dẫn gm và độ lợi áp AC AV = v0/vS 
d) Điện trở nhìn ở cực nền của BJT Rib. 
28. Cho mạch ở hình 5.22 với BJT có  = 100 và VA =. 
a) Tính điểm tĩnh Q của BJT (ICQ và VCEQ). 
b) Tính các tham số H của mô hình tín hiệu nhỏ. 
c) Tính hỗ dẫn gm và độ lợi áp AC AV = v0/vS 
Hình 5.23 
29. Cho mạch ở hình 5.23 với BJT có  = 100 và VA =. Hãy tìm mô hình tín hiệu nhỏ hỉnh  và hình T cho mỗi 
trường hợp. 
30. Cho mạch ở hình 5.24 với BJT có  = 100 và VA =. Hãy tìm mô hình tín hiệu nhỏ hỉnh  và hình T cho mỗi 
trường hợp. 
Hình 5.24