Bài giảng Tóm tắt môn Điện tử 2 - Chương 3: Khuếch đại công suất âm tần - Phạm Hồng Liên
* Đặc điểm của chế độ A : tín hiệu tồn tại trong cả chu kỳ.
+ Ưu : méo phi tuyến nhỉ.
+Khuyết : hiệu suất thấp :
???
≤ ≤
dùng tải là biến áp
dùng tải là R
50% :
25% :
A A
η
η
* Đặc điểm của chế độ B : tín hiệu chỉ tồn tại trong nửa chu kỳ.
+ Ưu : hiệu suất cao : ηB ≤ 78,5 %
+ Khuyết : méo phi tuyến lớn
⇒ Cách khắc phục : mắc đẩy-kéo để giảm méo phi tuyến.
kiện tín hiệu cực đại (sóng ra max-swing) ta có : L CC L CC CQcm RN V R V II 2'max === (9) VCEQ = VCC – ICQRE ≈VCC (10) (do RE rất nhỏ) Khi đó : + P maxCC = VCC ' L CC R V = L CC RN V 2 2 (5’) + P maxL = L CC L CC L L CC RN V R V R R V 2 2 ' 2 ' 2 ' 2 1 2 1 . 2 1 == (6’) + ηmax = max max CC L P P = 0,5 = 50 % (7’) + P maxC = PCC = L CC RN V 2 2 khi PL = 0 VCE iCi cmax =2I CQ 0 Q DCLL (-1/RDC) VCCVCEQ ICQ ADCLL (-1/RAC) 0 ICmICmax PL PC PCC PLmax 15 + L CC LCCC RN V PPP 2 2 2 1 maxmaxmin =−= (8’) (Để chọn transistor người ta dùng chỉ số phẩm chất : 2 max max = L C P P Ví dụ : WPWP LC 24 maxmax =→= ) III) BÔ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN ĐẨY KÉO LỚP B: Bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp B dùng biến áp : • Nguyên lý hoạt động : + 2 1 T > 0 →Q1 dẫn : iC1 ≠ 0; Q2 tắt : iC2 = 0. + 2 1 T < 0 →Q1 tắt : iC1 = 0; Q2 dẫn : iC2 ≠ 0. + Trong cả hai nửa chu kỳ dòng chảy trong biến áp ra ngược chiều với nhau nên ta có : iL = N(iC2 – iC1) → kết quả ta thu được dạng sóng sine như hình vẽ. + Dạng sóng sine sẽ bị méo xuyên tâm nếu mạch như hình vẽ (nghĩa là VBB = 0). 16 Icm + Dạng sóng sine sẽ không bị méo xuyên tâm nếu ta mắc thêm R1, R2 vào mạch với : VBB = VV RR R CC 7,0. 21 1 = + . + Nếu VBB > 0,7 V mạch làm việc ở chế độ AB thì méo phi tuyến giảm nhưng đồng thời hiệu suất cũng sẽ giảm. • Dòng điện trên tải có giá trị đỉnh là: IpL = ILm = p s p I N N = NICm (1) và điện áp trên tải có giá trị đỉnh là : VpL = VLm = N V V N N Cm p s p = (2) • Trong cả hai nửa chu kỳ dòng điện chảy qua VCC cùng chiều với nhau, nên ta có công suất cung cấp một chiều trên tải : PCC = ITB.VCC= = CC Cm CC p V I V I .2. 2 pipi = (3) • Công suất hữu ích trên tải : PL = LCmLLm RNIRI 222 . 2 1 . 2 1 = (4) • Ở điều kiện tín hiệu cực đại (max-swing) ta có : L CC L CC Cm RN V R V I 2'max == (5) Khi đó : +PCC = L CC CC L CC RN V V RN V 2 2 2 . 2 .. 2 pipi = (3’) ACLL − ' 1 LR ICmax ic vCE 2VCC VCC DCL 0 t ITB icc ic1 ic2 ic1 ic2 17 + L CC L L CC L RN V R R V P 2 2 ' 2 ' . 2 1 .. 2 1 max = = (4’) • Hiệu suất của mạch khuếch đại đẩy kéo : η = CC L P P (5) và ηmax = %5,78785,0 4 max === pi CC L P P (5’) ⇒ Đây là ưu điểm lớn nhất của bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp B. • PCC và PL ta tính ở trên là trong cả chu kỳ, nghĩa là cho cả Q1 và Q2 nên ta có công suất tiêu tán trên collector là : 2PC = PCC – PL = 2' 2 12 CmLCmCC IRIV −pi (6) Giá trị cực đại của PC được tìm bằng cách vi phân PC theo ICm và cho bằng 0 như sau : 2 0 2 ' =−= CmLCC cm IRV dI dP pi (7) Suy ra : ICm = L CC RN V 2 . 2 pi . Thay vào (6) ta được : 2 maxC P = ' 2 2 2 ' ' ' . 2 . 2 2 . 2 . 2 L CC L CCL L CC CC R V R VR R V V pipipipi = − (9) Như vậy công suất tiêu tán cực đại trên mỗi transistor sẽ là : L CC L CC L CC C RN V RN V R V P 2 2 2 2 ' 2 2 .1,0. 10 1 . 1 max ≈≈= pi (10) • Khi thiết kế để chọn Transistor người ta dùng chỉ số phẩm chất : 5 12 2 max max ≈= piL C P P (11) 18 Nghĩa là nếu transistor có maxC P =4W thì có thể tạo ra maxL P = 20W. Đây là ưu điểm nổi bật thứ hai của bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp B so với bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp A. Bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp B dùng Transistor bổ phụ : • Nhược điểm của mạch khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo dùng biến áp ra là giá thành xao và cồng kềnh. Vì vậy, đối với các bộ khuếch đại công suất âm tần có công suất không lớn lắm, người ta thường dùng bộ khuếch đại công suất âm tần không biến áp ra dùng Transistor bổ phụ. • Cặp Transistor bổ phụ là hai Transistor khác cực tính dẫn điện NPN và PNP nhưng có các tham số gần giống nhau. a) Bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo OTL (OUTPUT TRANSFORMERLESS) * Nguyên lý hoạt động : + 2 1 T > 0 →Q1 dẫn : iC1 ≠ 0; Q2 tắt : iC2 = 0; iC1 nạp cho tụ Cc đến giá trị 2 CCV (Co được chọn khá lớn). t V i 0 t iC 1 0 t iC 2 0 t i L 0 19 + 2 1 T < 0 →Q1 tắt : iC1 = 0; Q2 dẫn : iC2 ≠ 0 do tụ Cc phóng điện qua Q2. + Trong cả hai nửa chu kỳ dòng iC1 và iC2 chảy ngược chiều nhau trên tải RL nên ta có iL = iC1 – iC2 và iL có dạng sóng sine. Do Q1 có các tham số như Q2 nên ICm1 = ICm2 . * Hai diode D1 và D2 tạo phân cực và ổn định nhiệt độ cho Q1 và Q2 . 21 , EE RR cũng để tăng độ ổn định nhiệt độ cho Q1, Q2. Q1, Q2 mắc theo kiểu collector chung (mạch phát theo) để phối hợp trở kháng với tải RL (thường có giá trị 4Ω hoặc 8Ω). * Tần số cắt thấp phụ thuộc vào Cc được tính như sau : f1(Cc) = cEL CRR )(2 1 +pi (Hz) (1) * Do có RE nên dòng tải đỉnh là : IpL = ILm = LE Lm LE p RR V RR V + = + (2) * Ở điều kiện tín hiệu cực đại (max-swing) ta có : )(2max LE CC Lm RR V I + = (2’) ( 2max CC Lm V V = ) * Giá trị trung bình của dòng cung cấp là : ITB = ISTB = )( LE p RR V +pi (3) Khi max-swing ta có : )(2max LE CC TB RR V I + = pi (3’) * Công suất cung cấp một chiều trên tải : PCC = PS = VCC . ISTB = )( . )( . LE LmCC LE pCC RR VV RR VV + = + pipi (4) Khi max-swing ta có : )(2 2 max LE CC CC RR V P + = pi (4’) * Công suất AC trung bình được phân phối trên tải là : 20 PL = 2 2 22 )(2 . . 2 1 . 2 1 LE Lp LLmLpL RR RV RIRI + == (5) Khi max-swing ta có : 2 2 )( . . 8 1 max LE LCC L RR RV P + = (5’) * Hiệu suất của mạch : η = CC p LE L CC L V V RR R P P .. 2 + = pi (6) Khi max-swing ta có : Vp = 2 CCV nên ηmax = LE L RR R + . 4 pi (6’) Nếu RE = 0 ta có : ηmax = 4 pi = 0,785 = 78,5 % (6*) Vậy đối với bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp B thì ηB %5,78≤ . Khi mạch làm việc ở chế độ AB để giảm méo phi tuyến thì η = 60 ÷ 70 %. * Công suất tiêu tán trên collector : PC = PCC - PL (7) maxC P = PCC (7’) khi PL = 0 * Ưu điểm của mạch OTL : tiết kiệm do chỉ dùng một nguồn cung cấp. * Khuyết điểm : _ Méo tần số thấp do tụ CC gây ra (do Cc không thể tiến tới ∞ ) _ Méo phi tuyến lớn do 2 tầng Q1, Q2 không thật đối xứng (do VC không phải lúc nào cũng đúng bằng 2 CCV ). _ Băng thông bị co hẹp do tụ Cc (D < D’). Để khắc phục những khuyết điểm trên ta dùng bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo kiểu OCL (không có tụ CC). b) Bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo OCL : D ' D t0 Av Av0 21 Mạch OCL chỉ khác mạch OTL ở chỗ không có tụ ra CC nên không có các khuyết điểm như mạch OTL, nhưng lại phải cần đến hai nguồn cung cấp +VCC và –VCC. Nguyên lý hoạt động , dạng sóng và tác dụng của các linh kiện như D1, D2, RE1, RE2 đều giống mạch OTL. Các công thức (2), (3), (4), (5), (6) đều đúng , chỉ khác là ở chế độ max-swing thì maxLm V = VCC, nên các công thức (2’), (3’), (4’),(5’), (6’) sẽ có dạng như sau : LE CC LmpL RR V II + == maxmax (2’) )(maxmax LE CC TBSTB RR V II + == pi (3’) )( 2 max LE CC RR V P CC + = pi (4’) 2 2 )( . . 2 1 max LE L L RR RV P CC + = (5’) ηmax = LE L RR R + . 4 pi (6’) Khi PL = 0 thì 22 maxmax CCC PP = và maxmaxmin LCCC PPP −= c) Các bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo bù cơ bản : * Do Transistor công suất thường có hệ số khuếch đại dòng điện nhỏ, β nhỏ (đặc biệt tại các mức dòng điện cao) nên người ta thường thay thế các transistor đơn bằng cặp Darlington mắc CC (phát theo). Khi đó β > β1.β2 và dòng điện có thể đạt tới 20 A. * Khi công suất ra yêu cầu lớn, các transistor có thể được mắc song song để tăng khả năng kéo dòng cho bộ khuếch đại. Khi đó ta có hai bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp B mắc song song với : ICm = ICm1 = ICm3 = ICm2 = ICm4 và ILm = ICm1 + ICm3 = ICm2 + ICm4 Công suất ra trên tải RL sẽ là : PL = LCmLCmLLm RIRIRI 222 2.)2.( 2 1 2 1 == Khi max-swing : ICm = LE CC RR V + nên L lE CC L R RR V P . )( 2 2 2 max + = * Đối với các bộ khuếch đại công suất âm tần công suất lớn, ta có thể mắc cầu các bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo lớp B OTL hoặc OCL (gọi là BTL) 23 PL = 2 1 ILm.VLm = 2 1 (2ILm1).(2VLm1) = 2ILm1.VLm1 = 4PL1 Khi mắc cầu công suất trên tải sẽ tăng gấp 4 so với một bộ khuếch đại công suất âm tần đấy kéo OTL 1 hoặc OCL 1, nhưng mạch này rất nhạy, chỉ cần một nhánh của sơ đồ bị điều chỉnh lệch sẽ gây cháy tải, nên chúng chỉ được dùng trong các bộ khuếch đại công suất âm tần chuyên dụng có công suất lớn. * Các bộ khuếch đại công suất âm tần đẩy kéo gần bù dùng một cặp Darlington mắc đẩy kéo với một cặp giả Darlington như sau :
File đính kèm:
- bai_giang_tom_tat_mon_dien_tu_2_chuong_3_khuech_dai_cong_sua.pdf