Bài giảng Tóm tắt môn Điện tử 2 - Chương 1: Đáp ứng tần số thấp của mạch khuếch đại ghép RC - Phạm Hồng Liên

 1 
BÀI GIẢNG TÓM TẮT MÔN : ĐIỆN TỬ 2 
Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên 
Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH 
ĐẠI GHÉP RC 
I. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor : 
1. Tụ điện bypass emitter : H.1_1 
L
ii
o->o
->oo
E
+
Vbb C
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb R
Re
Rc
L
i
'
Rb
----
1+hfe
hib
>
ie
<
ic
RcieCei
R
Re
E
E
1
2 E
CR
R
ta sẽ có Rb'= )1(
1
// *
1ERhib
hfe
Rbri
++
+
 (có ri,có RE1) 
 ii'= )2(
1
//
// *
1Eib
ib
ib
Rh
hfe
rR
rR
++
+
 ( có ri,có RE1) 
Đặt Rb'= hib
hfe
Rb +
+1
 (1) 
(khi không có ri) 
Rb'= hib
hfe
Rr bi +
+1
//
(1') 
(khi có ri) 
 ii'= )2(
1
hib
hfe
R
R
b
b
+
+
(khi không có ri) 
ii'= )'2(
1
//
//
hib
hfe
rR
rR
ib
ib
+
+
 ( khi có ri} 
Đặt biệt khi có Re1,Re2 như hình vẽ : 
 2 
Dạng hàm truyền tổng quát : Ai=Aim )3(
2
1
ω
ω
+
+
s
s
Aim=-
'b
b
R
R
=- )4(
1
hib
hfe
R
R
b
b
+
+
 (không có ri,không có RL) 
Aim=- )'4(
1
//
////
' hib
hfe
rR
rR
R
rR
ib
ib
b
ib
+
+
−= (có ri, không có RL) 
Aim=- )"4(
1
//
////
1
'
E
ib
ib
b
ib
Rhib
hfe
rR
rR
R
rR
++
+
−= (có ri, có RE1, không có RL) 
Aim=- )4(
1
//
////
1
'
•
++
+
+
−=
+
E
ib
ib
LC
C
LC
C
b
ib
Rhib
hfe
rR
rR
RR
R
RR
R
R
rR


 
(có ri, có RE1 và có cả RL) 
)5(
1
1
EECR
=ω 
)6(
)'//(
1
2
bEE
L
RRC
==ωω
( R'b thay đổi như trên) 
Aio=Aim )7(
2
1
ω
ω
Ai 
Aim 
1ω Lωω =2 
)/( sradω 
Aio 
 3 
0 
2. Tụ ghép Cc1 : H 1-7 
iL
L
ii
->oo
+
Vbb
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb R
Re
Rc
ib
L
i
<
ic
i
(1+hfe)R
e fb
ib
L
i
h
hie
r
Cc1
Rc
i
R
Rb
Đặt R'b=Rb//[hie+(1+hfe)RE] (1) ( không có tụ CE) 
R'b=Rb//hie (1') (có tụ CE->∞ hoặc RE = 0 ) 
Dạng hàm tryền cơ bản : Ai=Aim
Ls
s
ω+
 (2) 
Aim=-
E
bi
Rhib
Rr
+
'//
 (3) ( không có tụ CE, không có RL) 
Aim=-
hib
Rr bi '// (3') ( có tụ CE, hoặc RE=0) 
Aim=-
E
bi
LC
C
Rhib
Rr
RR
R
+
•
+
'//
 (3") 
 ( không có tụ CE, có RL) 
1
1
( ' )
L
i b Cr R C
ω =
+
 (4) 
3. Cacù tụ ghép cực nền (Cc1) và tụ ghép collector (Cc2) : 
Ai 
Aim 
Lω )/( sradω 
 4 
ω0
A i
A im
Lω
0 ω
Aim
Ai
L
ωωω
21
L
ii
>
iL
+
Vbb
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb R
Re
Rc
ic
il
Li i
(1+hfe)
Re ib
Li
>
ib
fe
Cc2
h
hie
r
Cc1
Rc
i RRb
Hàm truyền cơ bản : 
Ai=Aim
21 ωω +
⋅
+ s
s
s
s
 (1) 
Aim=-
E
bi
LC
C
Rhib
Rr
RR
R
++
'//

 (2) 
)4(
)(
1
&)3(
)'(
1
2
2
1
1
cLCcbi CRRCRr +
=
+
= ωω 
Trường hợp 21 ωωω ==o khi đó : 
Ai=Aim
2
2
)( os
s
ω+
 (5); 
OL ωω 55,1= (6) 
Trường hợp 
21 ωω ≠ : 
 5 
0 ω 
2
6
2
4
2
2
2
2
1
4
1
2
2
2
12
ωωωωωω
ω
++
+
+
=L (7) 
4. Aûnh hưởng kết hợp của các tụ ghép và tụ bypass : 
L
ii
>
iL
Ce+
Vbb
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb R
Re
Rc
B3 : Tính Cc2 và Cc1 theo : 
1)'(2
1
1 CcRr
f
bi
LCc +Π
= (3) 
2)'(2
1
2 CcRr
f
bi
LCc +Π
= (4) 
II. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET : 
1. Tụ bypass cực nguồn : 
L
i
->oo
o->o
Rd
VDD
Cs
Rs
+
-
Vi
Cc2
r Cc1
R
Rg
l
rds 
- 
+ 
Rd R 
dsmrg=µ (1) 
ii
ig
g
i vv
rR
R
V ≈
+
=' (2) vì Rg >>ri 
B1 :
Ebi
LL
CRr
ff
CE )'(2
1
+Π
= 
 tính CE 
 B2 : 
CECvCc LLL
fff
10
1
21
== 
Lω 
Aim 
)1/( +µCs 
Rs)1( +µ 
iV 'µ VL 
 6 
V'I= ii
gi
g
VV
Rr
R
≈
+
 (1) 
Hàm truyền cơ bản : 
 Av=Avm
Ls
s
ϖ+
 (2) 
 Avm=-gmR// (3) 
)]([
1
2 ddsLc
L
RrRC ++
=ϖ (4) 
AV
AVm
1ω Lωω =2
ω
0
Avm
Lω ω
Av
2
1'
' ω
ω
+
+
==
s
s
Avm
V
V
Av
i
L (3) Avm=-gmR// (4) 
R//=rds//Rd//RL (5) ; 
ssCR
1
1 =ω (6) 
]
)//()1(
)//(
[
1
2
Lddss
Ldds
ss
L
RRrR
RRr
RC
+++
+
==
µ
ωω (7) 
Avo=Avm
2
1
ω
ω
+
+
s
s
 (8) 
2. Tụ ghép cực máng : 
L
i
->oo
->oo
>
i
L+
Cc2
+
Cc1
Rd
VDD
Cs
Rs
+
-
Vi
r
R
Rg
Vi
r
i
Vgs
g Vgs
m
V
L
RLRdrds
+
-
Rg
3. Tụ ghép cực cổng : 
L
i
->oo
->oo
>
i
L+
Cc2
+
Cc1
Rd
VDD
Cs
Rs
+
-
Vi
r
R
Rg
 7 
Vi
r
i
Vgs g Vgs
m
>
iL+
Cc1
RLRdrds
+
-
Rg
Av=Avm
Ls
s
ϖ+
 (1) 
Avm=-gmR// (2); R//=rds//Rd//RL (3) Avm 
)(
1
1 gic
L
RrC +
=ϖ (4) 
Vì Rg thường rất lớn nên Lϖ rất nhỏ. Đối với FET méo tần số thấp chủ 
yếu do Cs gây ra.